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一种低调谐增益变化的宽带电感电容压控振荡器 被引量:5
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作者 袁路 唐长文 闵昊 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期1003-1009,共7页
设计了一个应用于数字电视调谐器的宽带电感电容压控振荡器.该振荡器包含了一个开关可变电容阵列,用以抑制调谐增益的变化.整个电路采用0.18μm CMOS工艺实现.测试结果表明:压控振荡器的频率范围从1.17GHz至2.03GHz(53.8%);调谐增益从69... 设计了一个应用于数字电视调谐器的宽带电感电容压控振荡器.该振荡器包含了一个开关可变电容阵列,用以抑制调谐增益的变化.整个电路采用0.18μm CMOS工艺实现.测试结果表明:压控振荡器的频率范围从1.17GHz至2.03GHz(53.8%);调谐增益从69MHz/V变化至93MHz/V,其变化幅度与最大值相比为25.8%;最差相位噪声为-126dBc/Hz@1MHz;在1.5V电源电压下,压控振荡器的功耗约为9mW. 展开更多
关键词 宽带 调谐增益 开关电容阵列 开关可变电容阵列 差分调谐 压控振荡器
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低调谐增益变化的10 GHz电感电容式压控振荡器设计 被引量:3
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作者 齐晓斐 于杰 +3 位作者 孙旭涛 高铭阳 张志勇 赵武 《国防科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第2期54-60,共7页
基于0.18μm CMOS工艺,设计了一种应用于无线通信和雷达系统的低变化调谐增益的电感电容式压控振荡器。该电路包括分布式偏置可变电容阵列和开关电容阵列,合理选择偏置电压扩展电容-电压曲线覆盖范围,在整个调谐电压范围内,可有效降低... 基于0.18μm CMOS工艺,设计了一种应用于无线通信和雷达系统的低变化调谐增益的电感电容式压控振荡器。该电路包括分布式偏置可变电容阵列和开关电容阵列,合理选择偏置电压扩展电容-电压曲线覆盖范围,在整个调谐电压范围内,可有效降低调谐增益。三位开关电容阵列将整个可调频率范围分为8个子频带,通过控制可变电容实现子频带内频率的调谐范围。同时采用开关可变电容阵列,有效抑制了电感电容式压控振荡器调谐增益的变化。基于1P6M 0.18μm工艺模型的后仿真结果显示该10 GHz压控振荡器调谐增益变化率表现优异,低至21.5%,调谐频率范围为9.13~11.15 GHz,同时该压控振荡器能够实现较低的直流功耗9 mW(1.8 V电源电压),相位噪声在10 GHz时为-105 dBc/Hz@1 MHz。 展开更多
关键词 压控振荡器 调谐增益 分布式偏置可变电容阵列 开关电容阵列 开关可变电容阵列
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GPS/BD接收机中电感电容压控振荡器设计 被引量:1
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作者 陈顺舟 黄海生 +2 位作者 李鑫 景哏评 王帅 《重庆邮电大学学报(自然科学版)》 CSCD 北大核心 2016年第3期337-341,共5页
采用TSMC 0.18μm CMOS工艺,设计了一款宽调谐、低相位噪声、低功耗的电感电容压控振荡器(voltage controlled oscillar,VCO),用于接收北斗卫星导航系统的B1,B2频段信号和全球定位系统(global positioning system,GPS)的L1频段信号的射... 采用TSMC 0.18μm CMOS工艺,设计了一款宽调谐、低相位噪声、低功耗的电感电容压控振荡器(voltage controlled oscillar,VCO),用于接收北斗卫星导航系统的B1,B2频段信号和全球定位系统(global positioning system,GPS)的L1频段信号的射频接收机中。振荡器中采用了开关固定电容阵列和开关MOS管可变电容阵列,有效地解决了宽频率调谐范围和低相位噪声之间不可兼顾的问题,另外,采用了可变尾电流源的结构,使得振荡器在整个可调频率范围内输出电压的幅度变化不大。利用Cadence软件中Spectre对电路进行仿真。结果表明,振荡器频率调谐在2.958—3.418 GHz和2.318—2.552 GHz这2个频段内,在1.8 V的供电电源电压下,功耗仅为3.06—3.78m W。当振荡器工作在3.2 GHz和2.4 GHz的中心频率时,其在1 MHz频偏处的单边相位噪声分别为-118 d Bc/Hz和-121 d Bc/Hz。 展开更多
关键词 电感电容压控振荡器 开关固定电容阵列 开关MOS管可变电容阵列 相位噪声
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A wideband low-phase-noise LC VCO for DRM/DAB frequency synthesizer
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作者 雷雪梅 王志功 王科平 《Journal of Southeast University(English Edition)》 EI CAS 2010年第4期528-531,共4页
The wideband CMOS voltage-controlled oscillator(VCO)with low phase noise and low power consumption is presented for a DRM/DAB(digital radio mondiale and digital audio broadcasting)frequency synthesizer.In order to... The wideband CMOS voltage-controlled oscillator(VCO)with low phase noise and low power consumption is presented for a DRM/DAB(digital radio mondiale and digital audio broadcasting)frequency synthesizer.In order to obtain a wide band and a large tuning range,a parallel switched capacitor bank is added in the LC tank.The proposed VCO is implemented in SMIC 0.18-μm RF CMOS technology and the chip area is 750 μm×560 μm,including the test buffer circuit and the pads.Measured results show that the tuning range is 44.6%;i.e.,the frequency turning range is from 2.27 to 3.57 GHz.The measured phase noise is-122.22 dBc/Hz at a 1 MHz offset from the carrier.The maximum power consumption of the core part is 6.16 mW at a 1.8 V power supply. 展开更多
关键词 CMOS voltage-controlled oscillator switched capacitor bank MOS varactors WIDEBAND low phase noise DRM/DAB frequency synthesizer
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