双通道数字电源开关封装结构应力及优化分析

双通道数字电源是目前机械与设备生产中较常使用的装置,它既能够根据设备需求调控电流的供应参数,同时凭借双通道的优势,也能够使供电稳定性得以增强。此种功能主要与电源内部芯片有关,而封装作为固定芯片最重要的操作步骤,若是在结构应力方面出现问题,则势必会影响芯片安装的质量。所以,为使双通道数字电源质量得以保障,必须对封装结构应力给予重视,确保焊桥设计与结构形式得以优化,才能为后续产品市场的拓展奠定更扎实的基础。

高速SiC-MOSFET叠层封装结构设计及性能评估

作为脉冲系统的核心部件,开关承担着脉冲成形、功率调制等重要作用,开关通断速度往往决定脉冲上升时间,高速开关是纳秒短脉冲形成的关键。提出一种高速SiC-MOSFET叠层封装结构,整体布局无引线、无外接,具有极低寄生电感。开展了电磁场仿真研究,揭示了脉冲形成过程中封装多介质界面电磁场分布规律,明确了封装结构电磁薄弱环节,为进一步绝缘优化提供指导。搭建双脉冲测试平台,对研制的SiC-MOSFET叠层封装开关与同芯片商用TO-263-7封装开关的动态性能进行测试。结果表明,大电流工况下,所提封装电流开通速度提升48%,关断速度提升50%,开通损耗降低54.6%,关断损耗降低62.8%,实验结果验证了所提叠层封装结构对开关动态性能的改善。