两种低压高速BiCMOS开关电流存储器

为了提高数字通信电路的速度，设计了两种BiCMOS开关电流存储器。设计过程中在电路的关键部位配置有限的双极型晶体管（BJT），但在电路的主体部分则设置MOS器件。推导出了存储电路的传输延迟时间估算式，优选了元器件参数，并采取了提速措施。进行了仿真试验和硬件电路实验。结果表明，所设计的两种开关电流存储器在低电源电压（VDD）为2．6～4．0V时，综合性能指标——时延．功耗积DP比CMOS存储电路AD585平均降低了约18．8pJ，特别适用于低压高速数字通信系统。