采用45nm SOI CMOS工艺,设计了一种应用于毫米波系统的宽调谐范围VCO。采用具有高Q值且长度可灵活设计的开关耦合传输线(SCTL)作为谐振腔电感,通过控制耦合开关改变传输线的等效感值,在保持低相位噪声、不增加功耗和面积的情况下,提高了...采用45nm SOI CMOS工艺,设计了一种应用于毫米波系统的宽调谐范围VCO。采用具有高Q值且长度可灵活设计的开关耦合传输线(SCTL)作为谐振腔电感,通过控制耦合开关改变传输线的等效感值,在保持低相位噪声、不增加功耗和面积的情况下,提高了VCO的调谐范围。后仿真结果表明,不使用耦合开关的TL-VCO的调谐范围为45.6～57.1GHz(22.4%),SCTLVCO的调谐范围为42.25～59.92GHz(34.6%)。相比TL-VCO,SCTL-VCO的调谐范围增大了53.7%。在整个调谐范围内,相位噪声为-112.1～-120.4dBc/Hz@10 MHz,相应的FOM和FOMT分别为-178.3～-182.6dBc/Hz和-189.1～-193.4dBc/Hz,电源电压为0.7V,VCO核心功耗为8.6～10.8mW,面积为0.005 4mm^2。展开更多
文摘采用45nm SOI CMOS工艺,设计了一种应用于毫米波系统的宽调谐范围VCO。采用具有高Q值且长度可灵活设计的开关耦合传输线(SCTL)作为谐振腔电感,通过控制耦合开关改变传输线的等效感值,在保持低相位噪声、不增加功耗和面积的情况下,提高了VCO的调谐范围。后仿真结果表明,不使用耦合开关的TL-VCO的调谐范围为45.6～57.1GHz(22.4%),SCTLVCO的调谐范围为42.25～59.92GHz(34.6%)。相比TL-VCO,SCTL-VCO的调谐范围增大了53.7%。在整个调谐范围内,相位噪声为-112.1～-120.4dBc/Hz@10 MHz,相应的FOM和FOMT分别为-178.3～-182.6dBc/Hz和-189.1～-193.4dBc/Hz,电源电压为0.7V,VCO核心功耗为8.6～10.8mW,面积为0.005 4mm^2。
