基于低电源电压混频器的设计

提出了一种适用于低电源电压应用的混频器,其核心部分采用开关跨导形式,使得开关器件导通时的有限开态电阻引起的电压降减小到零,并在输出端采用折叠级联输出,降低了负载电阻引起的直流电压降,达到了在低电源电压下应用的目的.在1.3 V的电源电压下,电路仿真结果显示:转换增益为-11.5 dB,噪声系数为20.648 dBm,1 dB压缩点为-5.764 dBm,三阶交调失真点为4.807 dBm.

一种低噪声高线性度CMOS上变频混频器

设计实现了一种采用开关跨导型结构的低噪声高线性度上变频混频器,详细分析了电路的噪声特性和线性度等性能参数,本振频率为900 MHz。芯片采用0.18μm Mixed signal CMOS工艺实现。测试结果表明,混频器的转换增益约为8 dB,单边带噪声系数约为11 dB,输入参考三阶交调点(IIP3)约为10.5 dBm。芯片工作在1.8 V电源电压下,消耗的电流为10 mA,芯片总面积为0.63 mm×0.78 mm。

一种低电压低功耗射频接收前端电路的设计

介绍了一种工作在900MHz ISM频段的低电压低功耗射频接收前端,包括一个自偏置反相器结构的低噪声放大器和一个开关跨导型混频器.低噪声放大器利用电流复用技术以有限的电流实现较高的增益.混频器采用开关跨导技术、电流复用技术以及动态阈值电压技术以实现低电压低功耗.该射频接收前端在180nm CMOS工艺下流片并测试,测试结果显示,该射频接收前端在840~960 MHz频段内S11<-10dB,实现了22.5dB转换增益及8.5dB单边带噪声系数,输入三阶交调点为-10.1dBm,在0.8V电源电压下消耗2mW功耗.