基于各向异性导电膜的射频SP8T开关无损测试

为了解决射频器件无损测试的难点,基于各向异性导电膜Z轴(ACF-Z)连接结构,设计并实现了射频器件无损测试技术。针对表面贴装式GaAs金属半导体场效应晶体管(MESFET)单刀八掷(SP8T)开关,该测试技术使用ACF-Z轴连接结构实现器件与测试板的无损连接,通过矢量网络分析仪对GaAs MESFET SP8T开关性能进行测试,最多可同时测试SP8T开关的8个通道。测试结果显示,1~8 GHz内,器件的插入损耗为-15~-35 dB,回波损耗为-15~-35 dB,测试过程中未对器件造成损伤。

带减震支座的T型开关设备地震响应分析及试验研究

已有震害资料表明,支柱类设备具有较高的地震易损性。本文中提出使用钢丝绳及液压阻尼器组成的复合减震支座减小T型旁路开关的地震响应。本文首先分别对固定支座、钢丝绳阻尼器支座和复合支座的旁路开关进行有限元分析。随后对带复合减震支座的旁路开关进行了振动台试验,识别设备多阶振型,利用加速度响应及质量分布计算各截面弯矩,使用频响函数推算支座的减震效果。结果表明,液压阻尼器可以在钢丝绳阻尼器的基础上进一步减小设备的应力及位移响应。T型旁路开关基频较低且易受到高阶振型影响,设备支柱绝缘子中上部加速度响应最大,顶部位移最大而根部应力最大。减震支座能将设备的应力和位移响应减小大约50%,且设备的应力响应满足安全系数要求。

磁共振快速T/R开关驱动器研制

在磁共振T/R开关和主动失谐线圈中广泛使用PIN管,由外部驱动器向PIN管提供驱动电源,控制其导通或截止,从而达到开关切换和线圈失谐的目的.因此,驱动器的性能直接影响T/R开关和线圈的性能.该工作提出了一种新的T/R开关驱动器设计方案.电路中门控信号与驱动电源互相隔离,同时包含了场效应管死区调整电路,提高了电路稳定性和灵活性.该电路开关切换时间可达500 ns,驱动电压和电流理论上分别可达400 V和10 A以上,具有快速、驱动能力强等特点.可用于快速T/R开关和主动失谐线圈的驱动、缩短死时间、减小发射线圈和接收线圈间的耦合.

宽带磁共振T/R开关的设计与实现

磁共振系统中的发射/接收(transmit/receive,T/R)开关用于收发通路的切换,要求在隔离大功率信号的同时具有较小的插入损耗;另外,在宽带磁共振谱仪中,一般的窄带T/R开关也不再适用.本文基于PIN(positive-intrinsic-negative)二极管设计了工作频率为10~100 MHz的宽带磁共振T/R开关.通过减小电平跳变、优化开关过冲和解决二极管被动导通等问题,获得了插入损耗小于1 dB、大功率信号隔离度大于75 dB、开关时间1μs的整体性能.用本文设计的宽带T/R开关替代一般探头中的窄带T/R开关,在0.5 T核磁共振(NMR)波谱仪上测得了氢核和氟核两个不同频率的磁共振信号,验证了宽带T/R开关的宽带性能.

YS/T1451-2021《电器开关用T型铜材》行业标准解读

电器开关是成套电气设备的基本组成元件,电器开关用T型铜材的质量将直接影响到电器系统的可靠性。本文对行业标准《电器开关用T型铜材》内容进行了介绍,并对主要核心内容进行了解读和讨论。

T/R开关封装加速度仿真及测试

封装是T/R开关的关键环节。开关封装失效主要包括外壳失效和LTCC基板失效。为了避免T/R开关失效,利用ANSYS 14.0对封装进行模态仿真及加速度瞬态仿真,找出开关封装的加速度响应值以及受到应力时的频率特性,并通过随机试验和半正弦冲击试验验证仿真结果,验证封装可靠性。试验结果表明,目前的T/R开关封装可以保证组件能够承受40 g以上的加速度冲击和振动。

秦二厂3号、4号机组反应堆保护系统T3试验改进

本文介绍了秦二厂3号、4号机组针对反应堆保护系统T3试验实施的改进,并对目前T3试验仍然存在问题提供了改进方法,为国内其他核电厂提供可以借鉴的经验。

8kW高功率单刀四掷射频开关

介绍了pin二极管的工作原理,分析了大功率射频(RF)开关的主要参数及对应的设计方法,阐述了大功率射频开关设计过程中反向偏置电压的设计方法及安全性设计的考虑。运用ADS电路仿真软件对射频开关电路进行了仿真和优化,利用pin二极管的特性成功研制出了一款VHF波段8kW高功率单刀四掷(SP4T)射频开关。研制出的SP4T开关控制电平为0^-1000V的差分信号,可承受峰值功率大于8kW,平均功率大于1.5kW,当脉宽为60μs、占空比为25%时,插入损耗小于0.3dB,输入驻波比小于1.3∶1,开关隔离度大于55dB,转换时间小于50μs。

CMOS单片高隔离度Ka波段单刀双掷开关的设计

提出了应用0.13μm CMOS工艺设计的具有高隔离度的Ka波段单刀双掷（Single Pole Double Throw,SPDT）开关。测试结果显示,在Ka波段此单片开关插损为2.7~3.7 d B,在35 GHz时测得的输入1dB压缩点（P_（-1dB））为8d Bm。通过使用并联NMOS晶体管的拓扑结构并且使用高Q值的匹配网络,测得的开关在30~45 GHz有33~51 d B的隔离度。此Ka波段单刀双掷开关芯片的核心面积（die）仅仅为160×180μm2。

一种新颖的鳍线单刀双掷开关

介绍一种只需要一个偏置控制端口 ,采用正负脉冲驱动的 T形结鳍线单刀双掷开关的设计方法 .在电路中采取改进措施 ,提高了隔离度、降低了插入损耗 .测量结果表明 ,开关在 Ka频段内 ,插入损耗≤ 1.5 d B,隔离度≥30 d B;在 W频段内 ,插入损耗≤ 2 d B,隔离度≥ 2 5 d

一种高性能X波段GaAs开关滤波器芯片

基于0.25μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,研制了一款高性能X波段四路开关滤波器微波单片集成电路(MMIC)芯片。芯片内集成了输入和输出单刀四掷(SP4T)开关、驱动器和带通滤波器,实现了开关滤波功能。输入和输出SP4T开关结构相同,各支路都采用串-并联混合形式实现。驱动器集成在片内,由一位低电平(0~0.4 V)或高电平(3.3~5.5 V)信号控制SP4T开关中某一支路的导通或关断。带通滤波器采用分布参数梳状线结构,开路端加载金属-绝缘体-金属(MIM)电容,减小滤波器尺寸的同时拓宽了其阻带带宽。该开关滤波器芯片频率覆盖9.85~12.4 GHz,尺寸为4.5 mm×4.5 mm×0.15 mm。探针在片测试结果表明,开关滤波器芯片4个支路的中心插入损耗均小于6.2 dB,通带内回波损耗优于17 dB,典型的带外衰减大于40 dB。

单刀六掷机电同轴机械开关寿命提升试验研究

本论文设计了一种工作在DC～26. 5GHz的单刀六掷射频同轴机械开关。测试结果表明,在整个工作频带内,开关的驻波比小于1. 32,传输损耗小于0. 45dB。此前的设计结果显示,开关寿命只有100万次。为了提高开关的寿命,搭建了开关可靠性及寿命自动测试系统,能够实时监测并记录开关的运行状态。通过测试数据,发现开关的故障原因,并对开关进行优化设计,最终使得单刀六掷射频同轴开关的寿命从100万次提高到500万次以上。

施迈赛推出全新两款开关

施迈赛最新推出一款安全磁开关BNS36和重负荷开关T／M250。BNS36安全磁开关符合IEC60947—5—3及BG—Gs—ET-14标准：外壳为玻璃纤维增强型热塑塑料，有阻燃特性，防护等级为IP67，工作方式为磁式，触发磁铁只可为编码磁铁BPS36：控制等级最大可达4级。BNS36开关动作距离可精确到7mm，而释放距离为17mm。BNS36可在-25℃～＋70。C的环境温度下工作，且使用寿命长，可满足机床制造、冶金矿山、港口起重、塑料纺织、电梯制造等行业应用。

2~6GHz高性能开关滤波器组MMIC

基于0.25μm GaAs E/D赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,设计了一款2~6 GHz开关滤波器组单片微波集成电路(MMIC)芯片。片上集成了8路带通滤波器、输入、输出单刀八掷(SP8T)开关、3-8译码器和驱动器。通过输入、输出SP8T开关进行通道选择,采用三串两并结构,提高了通道间隔离度。带通滤波器组采用多级LC谐振器实现,最小、最大相对带宽分别为18%和100%,可用于宽带及窄带滤波器设计,具有通带插入损耗小,阻带抑制度高等优点。末级级联低通滤波器,实现远端寄生通带抑制大于35 dBc。在片探针测试结果显示,该开关滤波器组芯片在2~6 GHz频率范围内,每个带通滤波器的插入损耗均小于8.5 dB,阻带衰减为40 dB。该芯片具有通道多、功能复杂、集成度高的特点,可应用于宽带雷达系统进行频率预选。

带数字驱动的DC-18 GHz单刀三掷开关设计

设计了一款带数字驱动的DC-18 GHz单刀三掷开关(Single-Pole Three-Throw,SP3T)芯片。该芯片集成了单刀三掷开关和数字驱动器。单刀三掷开关由2个单刀双掷开关级联组成。单刀双掷开关采用吸收式开关结构,可以实现更好的关态驻波比。驱动电路采用直接耦合场效应晶体管逻辑(Direct Coupled Field Effect Transistor Logic,DCFL)式逻辑电路,具有结构简单、功耗低的优点。版图经过合理布局后,芯片尺寸为1.5 mm×2 mm。测试结果表明:在DC-18 GHz频段内,芯片插入损耗小于3.5 dB,隔离度大于50 dB。芯片采用5 V/0 V逻辑控制,开关速度小于8 ns,1 dB压缩输入功率23 dBm。

一种宽带高隔离度的视频模拟开关设计

为了解决传统CMOS开关在高频时隔离度低的问题,提出了一种应用于视频信号传输系统的低串扰、宽带高隔离度的视频开关电路。所提出的开关由两互补T型PMOS和NMOS开关构成,4 MHz的关断隔离度为-70 d B,而且带宽较高。采用0.5μm P衬底N阱CMOS工艺,Specture仿真结果表明,输入信号在-2~2 V电压范围内,开关的-3 d B大于50 MHz,开关时间小于50 ns,动态特性好。

单刀六掷机电同轴机械开关寿命提升研究

本文介绍了一种工作在DC~26.5GHz的单刀六掷射频同轴机械开关。在已有的调查数据中,当处于工作频带时,开关的驻波比小于1.32,传输损耗小于0.45dB。根据多组样品数据对比,正常情况下开关的寿命为100万次。为了明确是哪些因素影响了开关的使用寿命,研究人员设置了一套能够根据开关使用情况进行记录的系统型,支持通过实时监测功能,通过对不同数据进行分类识别,将可能影响开关使用寿命的因素全部列举出来。再依照影响因素的分布占比,对开关结构进行专项优化,实现机械开关寿命的延长。

城市配网接线方式的研究与改进

城市配电网的网络接线方式对城市配网供电可靠率的提高至关重要。不仅是故障隔离和负荷转移恢复送电的基础，还是正常环网倒闸操作、减少停电的基本要求，

一种适用于高速CMOS图像传感器中的采样保持电路设计

设计了一种适用于高速CMOS图像传感器中积分器阵列的采样保持电路。在采样保持电路的保持路径中采用一种抑制衬底偏压效应的T型开关,取代传统的CMOS传输门开关,可以抑制衬底偏压效应带来的阈值变化,保证开关导通电阻的线性度,同时由于在开关设计中引入了T型结构,减少高速输入下寄生电容引入的信号馈通效应,可以实现更为优化的关断隔离。基于SMIC(中芯国际)0.13μm标准CMOS工艺设计了一个适用于高速采样积分器阵列中的CMOS采样保持电路。Cadence Spectre仿真结果表明在输入信号达到奈奎斯特频率时,电路信噪失真比(SINAD)达到了85.5dB,无杂散动态范围(SFDR)达到92.87dB,而功耗仅为32.8mW。

基于大尺度传感器的电容测量电路抗干扰方法

为了抑制基于大尺度传感器的电容层析成像(ECT)系统的电容测量电路中的较强测量干扰,在分析了测量电路中单屏蔽同轴电缆和模拟开关杂散电容测量干扰产生机理的基础上,设计了能抗杂散电容的基于等电位驱动电缆内屏蔽技术和双T型模拟开关阵列的大尺度传感器电容层析成像系统测量电路,同时,为了提高测量电路输出信噪比,在测量过程中采用双极板激励策略增强大尺度传感器内敏感场强度。经实验测量,采用该抗干扰方法的电容测量电路的输出信噪比为56.8 d B,10 h内测量值标准差为0.132 f F。可见,该电路抗杂散电容干扰能力较强,输出信噪比较高,稳定性较好。