MoS_(2)的摩擦起电及充电特性研究

二维二硫化钼(2D MoS_(2))由于其优越的电学、光学和压电性能,使其在未来电子器件领域被广泛关注.该文利用AFM接触模式和SKPM,在纳米尺度上,测试CVD制备多层MoS_(2)的隧道摩擦起电和充电特性.通过AFM接触模式,在75 nN的法向载荷力下,用Pt导电探针摩擦MoS_(2)样品的1μm×1μm正方形区域,同时使硅基底接地.然后通过SKPM,对以摩擦区域为中心的5μm×5μm正方形区域的接触电势进行成像.最后以上述方式,依次在A、B、C区域进行摩擦起电测试.研究结果表明:MoS_(2)不仅具有摩擦起电特性,而且表现出摩擦其他区域,可以对初始区域充电的现象.因此,可以利用MoS_(2)的摩擦起电特性和充电现象,指导构建一类新的基于2D MoS_(2)纳米电子器件和摩擦电子学功能器件的应用.