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35V高压CMOS集成电路的设计
被引量:
1
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作者
王勇
严淼
马晓慧
《微电子技术》
1999年第5期28-31,共4页
随着高压电路的广泛应用,高低压兼容电路的设计变得越来越重要。本文以VFD电路高压输出级部分的设计为例,对高压CMOS电路的设计,从工作原理、结构设计等多方面进行阐述。
关键词
高低压兼容
开漏结构
常规工艺
下载PDF
职称材料
题名
35V高压CMOS集成电路的设计
被引量:
1
1
作者
王勇
严淼
马晓慧
机构
中国华晶电子集团公司MOS设计所
出处
《微电子技术》
1999年第5期28-31,共4页
文摘
随着高压电路的广泛应用,高低压兼容电路的设计变得越来越重要。本文以VFD电路高压输出级部分的设计为例,对高压CMOS电路的设计,从工作原理、结构设计等多方面进行阐述。
关键词
高低压兼容
开漏结构
常规工艺
Keywords
HLV compatible IC
Floating drain
Common process
分类号
TN4 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
35V高压CMOS集成电路的设计
王勇
严淼
马晓慧
《微电子技术》
1999
1
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职称材料
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