开管镓扩散系统的研究及在电力半导体器件中的应用

探讨了一种新颖开管扩镓系统的基本原理和实施方法，用于各类晶闸管的制造，使器件具有触发参数一致性好，通态特性优良，ｄｖ／ｄｔ、ｄｉ／ｄｔ耐量高等特点．实践证明。

开管扩锌InP的液结光伏谱和少子扩散长度

用电化学液结方法测量了在４７０℃于氢气氛下开管扩锌ＩｎＰ样品的载流子浓度分布、不同深度的光伏谱和少于扩散长度。结果表明：在扩散区形成浓度为１０１７～１０１８ｃｍ－３较平坦的空穴分布；少于扩散长度由衬底的８～１０μｍ降至表面的０．２９μｍ以下；若轻微腐蚀去严重损伤的样品表层，将较大地提高新表层的少子扩散长度。

砷化镓开管锌扩散及其扩散模型

本文利用特殊设计的石墨舟,作了GaAs开管Zn扩散实验,获得了质量较好的扩散片,取得了一系列实验结果,从而确定出最佳扩散条件.对不同扩散条件下的扩散片进行了SIMS测试,得到了Zn浓度反常分布曲线,提出一种新的扩散模型,对反常分布曲线给予了合理的解释.

光伏行业扩散炉的技术现状及发展趋势

从降低生产成本和提高电池转换效率方面出发,介绍了太阳电池扩散设备的最新进展,并对各种新型设备作出了评价和展望。

SiNx薄膜的性质及其在开管扩Zn中的应用

采用PECVD方法制备了SiNx薄膜,用椭偏测厚仪、红外光谱仪和俄歇能谱仪研究了SiNx薄膜的性质。测试结果表明,SiNx薄膜的折射率随SiH4流量增加不断增大,当SiH4/NH3为38/8时,沉积SiNx薄膜的折射率为1.93,对应的Si/N比约为0.75。FTIR测试结果表明,随着SiH4/NH3流量的增加,N-H含量降低,Si-H含量升高,当SiH4/NH3为38/8时,SiNx薄膜的H含量最少。通过优化沉积条件和层厚度,将SiNx薄膜应用于InP材料的开管扩Zn中,并成功制备了平面结构的InP/InGaAs PIN探测器。