局部气流扰动下转角双层MoS2的合成及层间角的表征

近些年,随着对二维材料的深入研究,人们发现当二维材料以不同的旋转角度堆叠在一起时,表现出了比单层二维材料更强大、更复杂的物理性质,这使得其在电子器件、光电子器件、自旋电子器件以及能源转换和存储等领域有着极其广阔的应用前景。在转角材料中,以二硫化钼(MoS2)为代表的转角双层过渡金属二硫化物(TMDC)。由于其具有独特的摩尔超晶格结构,会在特定角度下诱导产生电子平带,这引起了人们极大的兴趣。均匀莫尔势的高质量转角双层TMDC对于发现强关联效应、非常规超导、量子反常霍尔效应和拓扑相也是至关重要。然而,由于非稳定态转角双层材料的合成需要克服较高的能量壁垒,利用化学气相沉积(CVD)合成大面积高质量宽角分布的转角双层MoS2(tBMo S2)的方法仍然缺乏。本文展示了一种改进的CVD方法,该方法采用局部气流扰动,通过使用异位成核策略来生长高比例且具有任意扭转角度的tBMo S2。此外,文章还使用无损几何方法(原子力显微图像)和TEM选区电子衍射(SAED)对角度进行了表征,并使用拉曼光谱分析了角度和层间耦合的关系。