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异常霍尔效应和自旋霍尔效应
被引量:
7
1
作者
杨锡震
杨道生
田强
《物理实验》
2005年第10期3-6,共4页
异常霍尔效应和自旋霍尔效应是在常规霍尔效应的基础上引发出的2种新现象.本文介绍了这2种现象及其原理和潜在的应用.
关键词
异常霍尔效应
自旋
霍尔
效应
自旋-轨道相互作用
下载PDF
职称材料
非晶Fe_xZn_(1-x)O薄膜的结构、磁性和电性能
被引量:
5
2
作者
王锋
潘荣萱
林海容
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第24期482-489,共8页
采用射频共溅射方法制备了FexZn1-xO(x=0.80,0.86,0.93)非晶薄膜,该薄膜具有较强的室温铁磁性,制备态的Fe0.93Zn0.07O的饱和磁化强度Ms可达333.29emu/cm3,磁性能是各向同性的.与多晶的FexZn1-xO(x20%)不同的是样品出现了明显的异常霍尔...
采用射频共溅射方法制备了FexZn1-xO(x=0.80,0.86,0.93)非晶薄膜,该薄膜具有较强的室温铁磁性,制备态的Fe0.93Zn0.07O的饱和磁化强度Ms可达333.29emu/cm3,磁性能是各向同性的.与多晶的FexZn1-xO(x20%)不同的是样品出现了明显的异常霍尔效应(AHE),样品均为n型半导体,载流子浓度约为1019—1020cm3.退火后的样品在低温222K下存在着电阻极小值现象.薄膜的低温电阻导电机理属于自旋依赖的电子变程跃迁机理,上述实验结果表明高Fe含量的非晶FeZnO体系有作为新型自旋电子学器件材料的可能.
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关键词
非晶FeZnO
异常霍尔效应
磁性半导体
自旋极化的输运
原文传递
题名
异常霍尔效应和自旋霍尔效应
被引量:
7
1
作者
杨锡震
杨道生
田强
机构
北京师范大学分析测试中心
文山高等师范专科学校
北京师范大学物理系
出处
《物理实验》
2005年第10期3-6,共4页
文摘
异常霍尔效应和自旋霍尔效应是在常规霍尔效应的基础上引发出的2种新现象.本文介绍了这2种现象及其原理和潜在的应用.
关键词
异常霍尔效应
自旋
霍尔
效应
自旋-轨道相互作用
Keywords
anomalous Hall effect
spin Hall effect
spin-orbit interaction
分类号
O441 [理学—电磁学]
下载PDF
职称材料
题名
非晶Fe_xZn_(1-x)O薄膜的结构、磁性和电性能
被引量:
5
2
作者
王锋
潘荣萱
林海容
机构
泉州师范学院物理与信息工程学院
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第24期482-489,共8页
基金
福建省自然科学基金(批准号:2010J01305,E0510027)
泉州市科技项目计划(批准号:2009G8)
福建省高校服务海西建设重点项目(批准号:A100)资助的课题~~
文摘
采用射频共溅射方法制备了FexZn1-xO(x=0.80,0.86,0.93)非晶薄膜,该薄膜具有较强的室温铁磁性,制备态的Fe0.93Zn0.07O的饱和磁化强度Ms可达333.29emu/cm3,磁性能是各向同性的.与多晶的FexZn1-xO(x20%)不同的是样品出现了明显的异常霍尔效应(AHE),样品均为n型半导体,载流子浓度约为1019—1020cm3.退火后的样品在低温222K下存在着电阻极小值现象.薄膜的低温电阻导电机理属于自旋依赖的电子变程跃迁机理,上述实验结果表明高Fe含量的非晶FeZnO体系有作为新型自旋电子学器件材料的可能.
关键词
非晶FeZnO
异常霍尔效应
磁性半导体
自旋极化的输运
Keywords
amorphous FeZnO, anomalous Hall effect, magnetic semiconductor, spinpolarized transport
分类号
O484.1 [理学—固体物理]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
异常霍尔效应和自旋霍尔效应
杨锡震
杨道生
田强
《物理实验》
2005
7
下载PDF
职称材料
2
非晶Fe_xZn_(1-x)O薄膜的结构、磁性和电性能
王锋
潘荣萱
林海容
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012
5
原文传递
已选择
0
条
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引用分析
参考文献
引证文献
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