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氧化物异质外延薄膜生长的计算机模拟
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作者 谭浚哲 肖定全 +3 位作者 张青磊 吴家刚 朱基亮 朱建国 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期430-432,共3页
利用Monte Carlo方法分别模拟了在Sr-TiO3基底上沉积MgO薄膜和在MgO基底上沉积SrTiO3薄膜。模拟中,选取与实验中薄膜生长相近的参数条件,引入了新的参数扩散势垒,得到了在晶格正失配(张应力)和负失配(压应力)下薄膜生长的形貌图以及薄... 利用Monte Carlo方法分别模拟了在Sr-TiO3基底上沉积MgO薄膜和在MgO基底上沉积SrTiO3薄膜。模拟中,选取与实验中薄膜生长相近的参数条件,引入了新的参数扩散势垒,得到了在晶格正失配(张应力)和负失配(压应力)下薄膜生长的形貌图以及薄膜粗糙度的变化曲线图,分析了张应力和压应力对薄膜生长形貌的影响。模拟结果与文献报道的外延薄膜生长模式的实验观察结果一致。 展开更多
关键词 MONTE CARLO模拟 异质外延模拟 扩散势垒 薄膜生长
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