期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到1篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
X射线衍射研究表面活化剂对异质外延薄层Ge结构的影响
1
作者 朱海军 蒋最敏 +6 位作者 郑文莉 姜晓明 徐阿妹 毛明春 胡冬枝 张翔九 王迅 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1997年第9期1796-1800,共5页
利用原位的反射式高能电子衍射和非原位的Ｘ射线衍射技术，研究了活化剂Ｓｂ对于Ｇｅ在Ｓｉ上外延过程的影响．当没有活化剂、Ｇｅ层厚度为６ｎｍ时，外延Ｇｅ层形成岛状，应力完全释放．当有Ｓｂ时、Ｇｅ在Ｓｉ上的生长是二维的，并且... 利用原位的反射式高能电子衍射和非原位的Ｘ射线衍射技术，研究了活化剂Ｓｂ对于Ｇｅ在Ｓｉ上外延过程的影响．当没有活化剂、Ｇｅ层厚度为６ｎｍ时，外延Ｇｅ层形成岛状，应力完全释放．当有Ｓｂ时、Ｇｅ在Ｓｉ上的生长是二维的，并且应力释放是缓慢的，即使Ｇｅ外延层厚为６ｎｍ，仍有４２％的应变没有弛豫． 展开更多
关键词 X射线衍射 锗结构 异质外延薄层 表面活化剂
原文传递
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部