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基于异质结倍增层的InAlAsSb SACM雪崩光电二极管的优化 被引量：4
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作者 蒋毅 陈俊 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2019年第5期598-603,共6页
使用低工作电压的雪崩光电二极管(APD)有利于提高集成电路的稳定性和降低功耗.文章建立了一个分离吸收、电荷、倍增(SACM)型的雪崩光电二极管的模型,为了在低偏压下获得高增益同时不降低工作电压范围,这个模型采用了具有高低禁带宽度的... 使用低工作电压的雪崩光电二极管(APD)有利于提高集成电路的稳定性和降低功耗.文章建立了一个分离吸收、电荷、倍增(SACM)型的雪崩光电二极管的模型,为了在低偏压下获得高增益同时不降低工作电压范围,这个模型采用了具有高低禁带宽度的异质结倍增层.同时,文章研究了异质结倍增层的厚度和掺杂浓度对暗电流和增益的影响.通过对掺杂浓度的优化,击穿电压和穿通电压可以同时下降. 展开更多
关键词 InAlAsSb 雪崩光电二极管 异质结倍增层 击穿电压 穿通电压
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