Al_xGa_(1-x)As/GaAs异质结材料的XPS研究

用Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）结合氩离子溅射深度剖析对一系列不同ｘ值的ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ异质结材料中各主元素的分布及化学状态和相对含量的变化进行了分析，发现Ａｌ向表面偏析的现象及Ａｓ和Ａｌ的择优溅射问题，并对此进行了讨论。同时用ＸＰＳ法进行了Ａｌ的定量分析，并与光致发光法测得的ｘ值进行了对比，发现二者有非常好的线性关系。

GaAs基异质结材料MBE生长及应用

对 Ga As基调制掺杂异质结材料中作为沟道层的 In Ga As的生长条件进行优化 ,并在缓冲层中嵌入LT-Ga As。功率 PHEMT器件结果为在栅长 Lg=1 .7μm时 ,跨导 gm≥ 40 0 m S/mm,BVDS>1 5 V,BVGS>1 2 V。

应变Si_(1-x)Ge_x/Si异质结材料的GSMBE生长及X射线双晶衍射研究

用GSMBE（GasSourceMolecularBeamEpitaxy）技术在国内首次研究了应变Si1-xGex／Si异质结材料的生长．并用X射线双晶衍射技术对样品进行了测试分析．对于Si(0.91)Ge(0．09)和Si(0.86)Ge(0.14)单层，其半宽度FWHM分别为100”和202”；对于Si(0.89)Ge(0.11)／Si多量子阱，其卫星峰多达15个以上．三种样品中的GeSi外延层干涉条纹清晰可见．结果表明，用GSMBE技术生长的Si1-xGex／Si异质结材料具有很好的结晶质量以及陡峭的界面．

不同g-C_3N_4/WO_3异质结材料的制备及其光催化性能研究

分别采用超声分散法、水热法和焙烧法制备了g-C_3N_4/WO_3异质结催化剂,采用XRD、UV-Vis、氮气吸附、XPS、荧光光谱、EIS(阻抗谱)等多种手段对制备的催化剂进行表征。结果表明,制备方法对异质结组分间的结合强弱有显著影响,导致电子空穴分离效率迥异。模拟可见光下降解罗丹明B(RhB)和分解水制氢气作为探针反应来考察产品光催化性能,可得出三种异质结产品催化性能全部优于单个组分,而且水热法制备的产品催化性能最佳。

氮化对蓝宝石衬底上AlGaN/GaN异质结材料性能的影响

研究了不同氮化条件对蓝宝石衬底上生长的AlGaN/GaN异质结材料特性的影响。研究表明,随着氮化过程NH3流量的增大,GaN外延层的晶体质量得到了改善,GaN内应力释放,但是AlGaN/GaN异质结构中二维电子气的迁移率有所恶化。讨论了上述现象出现的原因。

MOCVD法生长HgCdTe/CdTe/GaAs多层异质结材料工艺和性能研究

本文简述MOCVD法生长HgCdTe晶膜的优点。采用变通的多层互扩散工艺生长了HgCdTe/GaAs外延片。研究了生长HgCdTe生长速率与衬底温度的关系,DETe和DMCd源分压对生长速率的影响,Hg_(1-x)Cd_xTe中x值与汞源温度的关系,当汞源温度固定时,Hg_(1-x)Cd_xTe中x值与气体流速V的关系。并采用多种方法分析HgCdTe外延片的表面形貌,结晶性,界面和缺陷,Te、Cd、Hg、Ga、As的截面分布,组份和其均匀性,光电性能等。测得HgCdTe和缓冲层CdTe的FWHM为450弧度秒,界面平坦、清晰,过度层约0.12μm。生长x值为0.1～0.8mol,均匀性△X=0.008。典型样品的性能,在77K电子浓度为1.4×10^(16)cm^(-3),迁移率为7.4×10~4cm^2/v·s,透射率为42％。

ZnO-Zn(OH) 2异质结材料的制备及其光催化性能研究

采用水浴法简单的调节pH值合成了ZnO-Zn(OH)2复合材料。利用XRD、SEM、光电流测试等手段对合成的样品进行表征,以确定样品的晶体结构、形貌和载流子寿命等特性。对水中罗丹明B污染物进行降解,研究其光催化活性。结果表明,ZnO-Zn(OH)2样品在180 min内降解了77.02%的罗丹明B,具有最佳的光催化活性。

一种具有酒精气体敏感效应的碳薄膜/硅异质结材料及制备方法

专利号：CN101334413申请人：中国石油大学本发明提供了一种具有酒精气体敏感效应的碳薄膜／硅异质结材料及其制备方法，该材料是通过磁控溅射的方法，将纯度为99.9％的石墨靶或者将含有0～10％（质量分数）铁的铁-石墨复合靶溅射到抛光的硅基片上，形成一层厚度为20～200纳米的薄膜。该碳薄膜／硅异质结新材料具有明显的酒精气体敏感效应，可以用于制备电导型酒精气敏传感器，在室温下工作，制备简单，易实现器件的微型化、

锗硅/硅异质结材料的化学气相淀积生长动力学模型

基于化学气相淀积(CVD)的Grove理论和Fick第一定律,提出并建立了锗硅(SiGe)/硅(Si)异质结材料减压化学气相淀积(RPCVD)生长动力学模型.与以前锗硅/硅异质结材料生长动力学模型仅考虑表面反应控制不同,本模型同时考虑了表面反应和气相传输两种控制机理,并给出了两种控制机理极限情况下的模型.本模型不仅适用于低温锗硅/硅应变异质结材料生长的表征,也适用于表征高温锗硅/硅弛豫异质结材料生长的表征.将模型计算值与实验结果进行了对比,无论是625℃低温下的应变SiGe的生长,还是900℃高温下的弛豫SiGe的生长,其模型误差均小于10%.

异质结光晶体管(HPT)的设计

随着数字技术的发展,光探测、光存储、光信息的检测和处理都要求有较高性能的探测器。异质结光晶体管(HPT)作为一种光电探测器件,拥有较多优点。在对比当前应用的各种光敏二极管和传统的光晶体管的基础上,提出了异质结光晶体管的设计思路及具体实现方法。

金/金钯异质结纳米棒的合成及其催化性能研究——有关纳米催化的物理化学新实验设计与实践

基于金/金钯异质结纳米棒合成及其催化性能而开设物理化学的设计性实验,成功合成金/金钯异质结纳米棒并用于降解4-硝基苯酚。本实验将基础知识与科学前沿相结合,通过查阅文献、制定实验方案、处理和分析实验数据、撰写实验报告、制作和演讲PPT等,培养学生的学习能力、思考力、执行力、创新意识和科学精神。

硫化铋@铁酸铜异质结的构筑及光触发抗菌性能研究

病原体细菌感染引起的相关感染在世界范围内严重威胁着人类的生命安全健康。为解决该问题,研究构筑了一种由硫化铋(Bi_(2)S_(3))与铁酸铜(CuFe_(2)O_(4))共筑形成的近红外光触发的异质结功能材料体系Bi_(2)S_(3)@CuFe_(2)O_(4),其通过Bi_(2)S_(3)与CuFe_(2)O_(4)之间的静电吸附作用力相结合。使用近红外光成像仪记录了材料在不同的近红外光功率下的升温曲线,验证了材料的光热效应;以1,3-二苯基异苯并呋喃(DPBF)作为活性氧的捕获剂,验证了材料的光动力效应。结果表明,Bi_(2)S_(3)@CuFe_(2)O_(4)在近红外光的触发下能够有效地产生热量,单线态氧(^(1)O_(2))与超氧根自由基(·O^(-)_(2))。抗菌实验以革兰氏阴性大肠杆菌(E.coli)及革兰氏阳性金黄色葡萄球菌(S.aureus)作为模型菌,验证了该种材料体系在近红外光触发下的广谱抗菌能力。结果表明,在近红外光的触发下该种材料体系针对S.aureus和E.coli两种不同类别的细菌均具有良好的抗菌能力。研究为消灭细菌提供了一种新的思路,同时为拓展新型异质结功能材料的应用了奠定实验基础。

光化学气相淀积SiGe/Si材料的机制分析

本文对光化学气相淀积 Si Ge/Si过程中气相反应机制和表面反应历程进行了分析和讨论 .利用表面反应动力学的有关理论 ,结合光化学气相淀积的特点 ,推导出光化学气相淀积Si Ge/Si过程中的生长速率和生长压力的关系 .并给出该理论结果和实际实验结果的比较 .

透射电子显微学在半导体材料科学中的应用

本文介绍了将透射电子显微学应用于半导体材料科学研究中的几个典型课题中所取得的研究结果,展示出从体单晶到超薄、多层异质结材料,从平面型异质结到非平面异质结材料的广泛领域中所获取的关于材料中"微区"、"微量"、"微观结构"的全方位信息,说明了透射电子显微学在半导体材料科学中起到的独特重要作用,而且随着半导体材料的日新月异的发展,其重要性将日趋明显。

新型气体探测材料研制成功

在国家科技专项的支持下，中国石油大学（华东）物理科学与技术学院薛庆忠教授为首的科研小组成功研制出一种新型气体探测材料——纳米碳／硅异质结材料。

二维材料异质结的可控制备及应用

二维材料异质结是由石墨烯、六方氮化硼、过渡金属二硫族化合物、黑磷等二维材料通过面内拼接或层间堆叠形成的,并由此可分为二维材料面内异质结和垂直异质结.二维材料面内异质结可以实现区域内载流子的特殊传输行为;而垂直异质结中的层间量子耦合效应能够导致新颖的物理特性,通过调节异质结构界面可调制器件的电学及光学性能.目前,随着电子器件、光电器件等对集成性、功能性的要求不断提高,二维材料异质结越来越多地受到研究者的关注,实现二维材料异质结结构(包括界面)的有效调控是构筑高性能、高集成器件的前提.本文主要对比各类二维材料异质结的制备方法,介绍主流的几类二维材料异质结基电子器件和光电器件的结构、工作原理和性能,展望有前景的新型制备方法,并指出二维材料异质结在实际应用中面临的挑战.

过硫酸氢钾制备MnO_(2)-MnOOH催化降解罗丹明B

以过硫酸氢钾和氯化锰为原料,采用共沉淀法制备了MnO_(2)-MnOOH异质结复合材料,采用XRD、XPS、TEM等方法对其进行了表征;以罗丹明B为目标污染物,考察了初始溶液pH、MnO_(2)-MnOOH加入量、过硫酸氢钾加入量、罗丹明B初始质量浓度对MnO_(2)-MnOOH催化降解罗丹明B效果的影响。实验结果表明:在初始溶液pH 4.0、MnO_(2)-MnOOH加入量0.2 g/L、过硫酸氢钾加入量0.650 mmol/L、罗丹明B溶液初始质量浓度50 mg/L的优化条件下催化反应30 min后,罗丹明B去除率为97.7%。催化反应过程中的主要活性基团是·OH和^(1)O_(2)。

δ-P γ-P异质结的构筑及LED发电性能研究

阐述第一性原理的计算,设计一款异质结半导体为基底的LED发电机,以解决目前LED半导体照明设备的难题,讨论吸附体系电子传输效率、异质结晶体结构和电子特性、LED发电设备发电性能。