多孔黏土异质结构材料的制备及其吸附环己酮的性能研究

煅烧有机膨润土制备出的多孔黏土异质结构材料(PCH-C)是一种良好的挥发性有机化合物的吸附剂。探讨了PCH-C制备过程中的表面活性剂、柱撑剂及其配比对PCH-C吸附环己酮的影响,并通过BET和X光电子能谱(XPS)等手段探索其影响机制。结果表明:有机膨润土的比表面积仅为73.6m^2/g,微孔孔容为0cm^3/g,中孔孔容为0.014cm^3/g,而PCH-C的比表面积为608.3m^2/g,微孔孔容达到0.392cm^3/g,中孔孔容高达0.804cm^3/g;O摩尔分数从55.13%上升至66.44%,其中C—OR、C=OR和O=C—OR等表面碳官能团含量显著增加;十六烷基三甲基溴化铵(CTMAB)所制备的PCH-C对环己酮的吸附量最大;当表面活性剂与膨润土原土的质量比为1.0∶1.0、柱撑剂与有机膨润土前驱体的质量比为120∶1时,PCH-C对环己酮的吸附最佳,最高吸附量达到129mg/g。

GaAs基异质结构材料及其应用

本文介绍了近年来GaAs异质结构材料及其器件的研究概况以及今后发展趋势。

MBE法生长的调制掺杂GaAs／Al＿xGa＿（1－x）As异质结构材料的输运特性研究

采用变磁场霍尔效应方法，在低磁场（Ｂ＜０．６Ｔ）和低温（Ｔ＝７７Ｋ）条件下，研究了ＨＥＭＴ器件用调制掺杂ＧａＡｓ／Ａｌ＿ｘＧａ＿（１－ｘ）Ａｓ异质结构材料的输运特性。给出了材料电学参数（ρ、ｎ和μ）与Ｂ的依赖关系，揭示了平行电导对材料质量的影响，并对上述依赖关系作了初步的定量分析。

InP系列多薄层异质结构材料光致发光谱温度特性的实验研究

本文报告了InP系列多薄层异质结构材料变温光致发光（PL）谱的正常及异常温度特性；观测到InGaAsP单层单量子阱室温下光致发光峰能却比10K下光致发光峰能高的实验事实．提出了外延层分为岛状、短程有序起始生长区、过渡区、多元均匀混晶区模型来解释PL谱低温下局部温度特性异常问题；认为PL谱反常温度特性与晶格弛豫有关．

InGaAsP/InP多薄层异质结构材料的晶格驰豫和晶体质量蜕化研究

介绍应变量子阱材料的稳定性理论——能量平衡模型；报告几个典型的与晶体质量蜕化有关的光荧光谱；计算几种常用应变多量子阱结构材料的临界弹性应变量；指出非应变盖层可提高阱层临界应变量；

异质结构材料的傅立叶变换光萤光谱的测试与分析

介绍了傅立叶交换光萤光谱测试的基本原理；报道了用ＰＬ６１２０设备测得的一些典型的异质结构材料光萤光谱；分析和讨论了光萤光双峰结构、光萤光谱异常温度特性等问题；指出了异质界面上原子排列无序和内应力是造成这些异常现象的物理原因。

Cu2O/GO异质结构对H2S检测性能的研究

体内H2S分子的浓度变化可反映多种疾病发展状况,在心血管疾病、唐氏综合征、肝硬化、糖尿病和癌症等疾病诊断中发挥着重要作用。石墨烯具有原子厚度的二维共轭结构、巨大的比表面积、优异的导电性以及稳定性,在H2S传感领域得到了广泛的应用。基于石墨烯的H2S传感器灵敏响应度高,检测限低于100 ppb。本研究通过二维电化学沉积法构建了基于氧化石墨烯(GO)和Cu2O的异质结构材料,该材料具有清晰的异质界面和优良的检测性能,可作为制备H2S气体传感器的材料。以此材料制作的传感器可以对呼出H2S气体进行检测和分析,从而进行疾病的快速诊断。

自由电子激光对GaAs/AlGaAs异质结构材料电学性质的影响

自由电子激光(FEL)辐照样品前和辐照样品时,使用变温霍尔测量系统测试了这种n型调制掺杂GaAs/AlGaAs异质结构材料中准二维电子气(2DEG)的迁移率、电子浓度和电阻率。对比这两种情况下的结果可以发现:1)迁移率随温度升高而降低,光照使迁移率增大;2)电子浓度随温度变化关系相对较为复杂,但是平均而言,光照会使电子浓度减小;3)电阻率随温度升高而升高,光照使电阻率减小,但这种影响不明显。对这些现象给出了具体的分析。

低维半导体异质结构材料及激光器研究

高度信息化社会的快速发展对先进光电子材料及光发射器件提出越来越高的要求。纵观半导体激光器的发展历程，每一次阶跃性的技术进步都依赖于光电子材料或器件结构的突破性进展。从最初的同质结体材料到异质结材料再到具有量子限制效应的低维量子阱、量子点、量子级联材料，从早期的法布里珀罗结构到分布反馈结构、布拉格反射器结构以及微腔结构，低维异质结构材料及半导体激光器的研究与开发一直支撑着全球信息化建设的高速发展。

半导体异质结构纳米材料新进展

中科院化学所胶体、界面与化学热力学院重点实验室高明远课题组与国家纳米中心的唐智勇教授及北京交通大学光电子技术研究所联合发表了纳米尺寸的Cu2S-In2S3异质结构材料的制备与形貌控制机理研究论文（J．Am．Chem．Soc．，2008，130，13152-13161）。他们证明了导体硫化铜纳米颗粒可以催化硫化铟纳米晶体的生长，形成具有“半导体一半导体异质结构”的纳米材料，而类似的催化作用之前只在金属类纳米颗粒中被观察发现。

ZnO/ZnS异质结构纳米材料的制备及其光催化还原Cr(VI)的研究

伴随着全球经济的高速发展,能源短缺和环境恶化问题引来了诸多的关注,就目前的研究结果来说,利用太阳能进行光催化还原是最好的解决途径,而宽禁带半导体ZnO是一直被人们广泛关注的光催化材料。本研究采用化学沉淀法制备得到花状ZnO,并以其为基底成功制得复合的ZnO/ZnS异质结构纳米材料。采用XRD、SEM、PL等一系列表征手段,研究了ZnO/ZnS复合纳米材料的晶相结构、形貌以及其光生载流子的分离效率,并测试了ZnO/ZnS复合纳米材料在全光照射下对Cr(VI)的光还原能力。研究结果表明,制得的ZnO/ZnS复合光催化剂在光照90min后对Cr(VI)的还原率高达97%,是纯相ZnO的1.3倍。

GSMBE生长的用于研制HBT的SiGe/Si异质结材料

用 GSMBE法生长了 Si/ Si Ge/ Si异质结构材料 .采用双台面结构制造了 Si Ge/ Si NPN异质结晶体管 .在发射结条宽为 4μm,面积为 4μm× 1 8μm的条件下 ,其共发射极直流放大倍数为 75,截止频率为 2 0 GHz.给出了结构设计。

过渡型界面对粗晶/超细晶异质结构铜屈服和断裂行为的影响（英文）

为了研究界面约束对异质结构材料屈服和断裂力学性能的影响,采用搅拌摩擦加工方法制备具有过渡型界面的粗晶/超细晶纯铜式样。拉伸测试结果表明:由粗晶和超细晶力学不协调单元弹-塑性交互作用所产生的协同强化效应随约束面积的增加而增加。使用数字散斑相关方法揭示异质结构材料颈缩过程中界面区域的应变集中分布。使用扫描电子显微镜系统分析断口形貌特征。结果发现,界面区域分布有大量大尺寸韧窝,这可能是因为粗晶与超细晶的交互约束作用在界面处产生高三轴内应力和塑性应变累积。此外,还发现粗晶区域通过剪切方式断裂,而不是拉伸应力所引起的韧窝生长机制。

异质梯度纳米结构金属的研究现状

强度-塑性倒置普遍存在于传统均匀或随机微观结构的金属材料,而梯度纳米结构材料由于其晶粒尺寸呈梯度变化,变形过程中不同特征尺寸的结构相互协调,使其具有优异的综合力学性能。近年来,由不同性质的非均质区域构成异质结构的设计理论、制备方法和变形机理逐步完善。本文总结了梯度结构、双峰结构、谐波结构、异质层状结构、分散纳米域和层状纳米孪晶结构等异质结构金属材料的分类及制备方法。结合梯度纳米结构金属在应力加载过程中非均匀塑性变形行为,总结其强塑性机制,包括梯度塑性、几何必须位错、机械驱动的晶粒粗化、表面残余应力和表面扰动和剪切带行为等,并讨论其未来发展所面临的挑战。

信息功能材料的研究现状和发展趋势

介绍了国内外信息功能材料目前的研发水平、器件应用概况和发展趋势 ,主要介绍了半导体材料 ,也涉及到信息存储材料、有机光电子材料和人工晶体材料等。

发光、荧光材料

U482.31 98042721InP系列多薄层异质结构材料光致发光谱温度特性的实验研究=Experimental study of the temperaturecharacteristics of photoluminescence spectrumfor InP based multilayer heterostructure mate-rials[刊,中]/丁国庆(武汉电信器件公司.湖北武汉(430074))∥半导体学报.—1997.18(8).

半导体光学材料及制备

TN304 98063971小应变异质结构材料的X射线双晶衍射摇摆曲线的计算机模拟分析=Computer simulation analysison X-ray two crystal diffractive rockingcurves of light strain heterostructural materials[会,中]/丁国庆(武汉邮电科学研究院.湖北,武汉(430074))

异种高性能热塑性材料旋转摩擦铆接工艺研究

研究了摩擦铆接设备的不同主轴动力参数对AA2024-T351铆钉/PEI ULTEM-1000母材摩擦铆接工艺镦头形态的影响。铆钉旋转速度、铆钉铆入速度、下压距离和急停速度是铆接镦头主要工艺参数,研究结果表明:铆钉旋转速度越高,摩擦铆接连接区域热输入越多;铆钉铆入速度过小,会出现铆钉逐渐深入钻削的现象,影响热量在铆钉和母材接触区域的积聚,铆钉铆入速度过高,热量还未来得及产生,铆钉材料就被撞弯;下压距离和急停速度可以调控摩擦铆接工艺镦头连接紧固效果。

InGaAs/InGaAsP/InP等异质结构体材料最窄能带隙的实验确定

报道了几种典型的光压谱（ＰＶＳ） 和光荧光谱（ＰＬＳ）；比较了ＰＶＳ中吸收边Ｅα和ＰＬＳ中峰能值Ｅｐ 的关系；分析指出，最窄能带隙Ｅｇ＝ Ｅｐ－ １２ ＫＴ＝ Ｅα；理论分析和实验结果一致．