相比于电荷流的高功耗,自旋流可以高效地传输能量与信息的同时避免焦耳热的产生,因此基于自旋流的电子器件成为未来电子信息器件研发的重要方向之一.自旋流及其输运现象的相关研究是自旋电子学器件的开发基础.本文着眼于铁磁金属镍(Ni)...相比于电荷流的高功耗,自旋流可以高效地传输能量与信息的同时避免焦耳热的产生,因此基于自旋流的电子器件成为未来电子信息器件研发的重要方向之一.自旋流及其输运现象的相关研究是自旋电子学器件的开发基础.本文着眼于铁磁金属镍(Ni)与非磁重金属(Pt)构建的异质结结构,研究了异质结界面的自旋输运特性,发现其对扩散自旋流的全阻塞效应.本工作以基于钇铁石榴石(yttrium iron garnet,YIG)的YIG/Ni/Pt三层器件开展,采用自旋泵浦技术激发扩散自旋流注入到镍中,同时检测与分析器件中的逆自旋霍尔电压,并与YIG/Ni双层器件中的信号进行对比分析.结果证明YIG/Ni/Pt三层器件中的铂金属层仅起分流作用而对逆自旋霍尔电流无贡献,即镍层中的扩散自旋流被阻塞于Ni/Pt异质结界面.本工作加深了对界面处自旋流输运的认识,铁磁性金属/非磁重金属自旋流阻塞界面的发现也为自旋电子器件的设计及新功能开发提供了新的思路与手段.展开更多
南京电子器件研究所基于MOCVD平台,在100 mm SiC半绝缘衬底上,提出恒压式气流吹扫和台阶式流场调控技术分别应用于生长AlN/GaN异质结界面和AlN势垒层,显著改善了AlN/GaN异质结界面不清晰、Al原子表面扩散长度偏低的外延难题,研制出高性...南京电子器件研究所基于MOCVD平台,在100 mm SiC半绝缘衬底上,提出恒压式气流吹扫和台阶式流场调控技术分别应用于生长AlN/GaN异质结界面和AlN势垒层,显著改善了AlN/GaN异质结界面不清晰、Al原子表面扩散长度偏低的外延难题,研制出高性能AlN/GaN HEMT外延材料。图1为AFM 5μm×5μm范围下的表面形貌,势垒层表面平整,原子台阶明显,RMS=0.3 nm,且无明显缺陷。展开更多
文摘相比于电荷流的高功耗,自旋流可以高效地传输能量与信息的同时避免焦耳热的产生,因此基于自旋流的电子器件成为未来电子信息器件研发的重要方向之一.自旋流及其输运现象的相关研究是自旋电子学器件的开发基础.本文着眼于铁磁金属镍(Ni)与非磁重金属(Pt)构建的异质结结构,研究了异质结界面的自旋输运特性,发现其对扩散自旋流的全阻塞效应.本工作以基于钇铁石榴石(yttrium iron garnet,YIG)的YIG/Ni/Pt三层器件开展,采用自旋泵浦技术激发扩散自旋流注入到镍中,同时检测与分析器件中的逆自旋霍尔电压,并与YIG/Ni双层器件中的信号进行对比分析.结果证明YIG/Ni/Pt三层器件中的铂金属层仅起分流作用而对逆自旋霍尔电流无贡献,即镍层中的扩散自旋流被阻塞于Ni/Pt异质结界面.本工作加深了对界面处自旋流输运的认识,铁磁性金属/非磁重金属自旋流阻塞界面的发现也为自旋电子器件的设计及新功能开发提供了新的思路与手段.
基金This work was supported by the National Natural Science Foundation of China(No.11964016)the HongLiu First-class Disciplines Development Program of Lanzhou University of Technology.The authors were grateful to the National Supercomputing Center in Shenzhen.