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离子注入诱导量子阱界面混合效应的光致荧光谱研究 被引量：7
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作者 陈贵宾 陆卫 +7 位作者 缪中林 李志锋 蔡炜颖 沈学础 陈昌明 朱德彰 胡钧 李明乾 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第3期659-662,共4页
采用多元芯片方法获得了一系列不同离子注入剂量的GaAs AlGaAs非对称耦合量子阱单元 ,通过光致荧光谱测量 ,研究了单纯的离子注入导致的界面混合效应 .荧光光谱行为与有效质量理论计算研究表明 ,Al原子在异质结界面的扩散在离子注入过... 采用多元芯片方法获得了一系列不同离子注入剂量的GaAs AlGaAs非对称耦合量子阱单元 ,通过光致荧光谱测量 ,研究了单纯的离子注入导致的界面混合效应 .荧光光谱行为与有效质量理论计算研究表明 ,Al原子在异质结界面的扩散在离子注入过程中已基本完成 ,而热退火作用主要是去除无辐射复合中心 . 展开更多
关键词 量子阱 离子注入 光致荧光谱 界面混合效应 半导体 异质结结构体系
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