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磷扩散法制备p型ZnO薄膜
被引量:
3
1
作者
丁瑞钦
朱慧群
+5 位作者
曾庆光
林民生
冯文胜
梁毅斌
梁满堂
梁达荣
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第4期859-862,共4页
应用射频反应磁控溅射的方法,将ZnO薄膜沉积于高磷掺杂的n+型Si衬底上。在沉积和后退火过程中,磷向ZnO薄膜扩散并被激活,使ZnO薄膜由n型转化为p型,从而形成p型ZnO薄膜。X射线衍射分析(XRD)证明了所制备的ZnO薄膜都是高c轴取向的六角纤...
应用射频反应磁控溅射的方法,将ZnO薄膜沉积于高磷掺杂的n+型Si衬底上。在沉积和后退火过程中,磷向ZnO薄膜扩散并被激活,使ZnO薄膜由n型转化为p型,从而形成p型ZnO薄膜。X射线衍射分析(XRD)证明了所制备的ZnO薄膜都是高c轴取向的六角纤锌矿结构的薄膜。电学I-V关系曲线的整流特性和空穴浓度≥1.78×1018/cm3的霍耳效应测试结果证明了p型ZnO薄膜的形成。
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关键词
磷扩散
P型ZNO薄膜
磁控溅射
异质znop-n结
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职称材料
题名
磷扩散法制备p型ZnO薄膜
被引量:
3
1
作者
丁瑞钦
朱慧群
曾庆光
林民生
冯文胜
梁毅斌
梁满堂
梁达荣
机构
五邑大学薄膜与纳米材料研究所
五邑大学信息学院
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第4期859-862,共4页
基金
广东省自然科学基金(No.04011770)
江门市科技计划(江财企【2004】59号)项目
文摘
应用射频反应磁控溅射的方法,将ZnO薄膜沉积于高磷掺杂的n+型Si衬底上。在沉积和后退火过程中,磷向ZnO薄膜扩散并被激活,使ZnO薄膜由n型转化为p型,从而形成p型ZnO薄膜。X射线衍射分析(XRD)证明了所制备的ZnO薄膜都是高c轴取向的六角纤锌矿结构的薄膜。电学I-V关系曲线的整流特性和空穴浓度≥1.78×1018/cm3的霍耳效应测试结果证明了p型ZnO薄膜的形成。
关键词
磷扩散
P型ZNO薄膜
磁控溅射
异质znop-n结
Keywords
phosphorous diffusion
p-type ZnO thin film
magnetron sputtering
ZnO p-n heterojunction.
分类号
O484 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
磷扩散法制备p型ZnO薄膜
丁瑞钦
朱慧群
曾庆光
林民生
冯文胜
梁毅斌
梁满堂
梁达荣
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007
3
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职称材料
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