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磷扩散法制备p型ZnO薄膜 被引量:3
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作者 丁瑞钦 朱慧群 +5 位作者 曾庆光 林民生 冯文胜 梁毅斌 梁满堂 梁达荣 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第4期859-862,共4页
应用射频反应磁控溅射的方法,将ZnO薄膜沉积于高磷掺杂的n+型Si衬底上。在沉积和后退火过程中,磷向ZnO薄膜扩散并被激活,使ZnO薄膜由n型转化为p型,从而形成p型ZnO薄膜。X射线衍射分析(XRD)证明了所制备的ZnO薄膜都是高c轴取向的六角纤... 应用射频反应磁控溅射的方法,将ZnO薄膜沉积于高磷掺杂的n+型Si衬底上。在沉积和后退火过程中,磷向ZnO薄膜扩散并被激活,使ZnO薄膜由n型转化为p型,从而形成p型ZnO薄膜。X射线衍射分析(XRD)证明了所制备的ZnO薄膜都是高c轴取向的六角纤锌矿结构的薄膜。电学I-V关系曲线的整流特性和空穴浓度≥1.78×1018/cm3的霍耳效应测试结果证明了p型ZnO薄膜的形成。 展开更多
关键词 磷扩散 P型ZNO薄膜 磁控溅射 异质znop-n结
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