VDMOS栅引线脱落引起的阈值电压测试错误分析

讨论了栅引线脱落导致栅悬空条件下,VDMOS器件的电流传输过程。通过器件测试与仿真,指出栅引线脱落引起阈值电压测试错误的原因。提出一种将传统"两线法"与"三线法"相结合的阈值电压测试方法,避免栅引线脱落导致阈值电压测试的误判。

高压电容式套管电容屏引线脱落故障的分析判断

认真检测高压电容式套管的tgδ和电容量十分重要。当测试值与出厂值或初始值比较，电容量有明显减小或tgδ值明显增大，则很可能是套管的零屏引线或末屏引线脱落故障。这种套管不应出厂，已投入运行者应立即退出运行。