弹性e-d散射中氘核的张量极化t_(20)与ρπγ耦合过程

在夸克 强子混杂模型基础上 ,利用氘核的相对论波函数 ,计及冲击近似、ρπγ过程贡献和6夸克集团效应 ,计算了氘核的张量极化t2 0 .结果表明 ,当ρπγ耦合常数取正值时 ,t2 0 的理论值才与新扩展的实验数据符合 .

D_4、D_(4v)、D_(4h)和D_(2d)类晶体三阶极化率张量的非零元素

本文以Ｄ４类晶体为例，介绍一种用晶体对称变换确定电极化率张量非零元素的方法，并由此给出Ｄ４类晶体三阶极化率张量非零元素具体形式的正确表述．

计算极化检测算法性能的一种方法

针对目标极化检测算法的一般表达式,在详细的数学推导的基础上给出了一种检测特性计算公式,并根据实验获得的杂波和目标极化协方差矩阵参数给出了计算机仿真结果。

硅材料场致等效二阶极化率张量的研究

具有反演对称中心的硅单晶在电场作用下体内的反演对称中心消失,因而理论上应产生偶数阶非线性极化率。从理论上根据矢量与张量的作用,利用(eχf2f)=χ(3).E这一关系和张量变换理论系统地阐述了硅材料在内建电场或外加电场的作用下,具体在方向分别沿[111][、110]和[001]的电场作用下,得到的等效二阶极化率张量(eχf2f)分别与C3v、C2v和C4v点群的二阶极化率张量具有相同的形式,说明在物理性质方面,硅的对称性由Oh群在相应方向电场作用下分别被降低为C3v、C2v和C4v群,因此应该具有相应对称性晶体的二阶非线性光学性质;提出了电场E沿任意方向时硅的等效二阶极化率张量e(χf2f)的计算方法,对研究硅材料和其他具有反演对称中心材料的场致二阶非线性光学性质实验具有指导意义。

单晶硅材料电致双折射的研究

首次测量了硅材料在1.3μm波长处,基于克尔效应和弗朗兹-凯尔迪什效应的电致双折射,进而计算出三阶非线性极化率张量(χ3)的分量x(χy3x)y.观测到弗朗兹-凯尔迪什效应引起的折射率变化与入射光的偏振态有关.在实验中,测得了由克尔效应引起的折射率之差为Δn=5.49×10-16E20,而弗朗兹-凯尔迪什效应引起的折射率之差为Δn′=2.42×10-16E20.5.

金属-介质-金属三棱柱结构超表面中的磁电耦合

基于亚波长纳米单元(超原子)的超表面结构革新并极大丰富了光场调控技术,从理论上研究并设计具有独特性质和功能的超表面结构在光场调控研究中具有重要价值。利用极化率张量理论计算了对称和非对称金属-介质-金属(MDM)正三棱柱超原子的诱导电响应、磁响应、磁电响应和电磁响应,设计出偏振无关的周期性MDM正三棱柱超表面,分别通过时域有限差分(FDTD)仿真模拟和理论计算的方法得到MDM超表面的透射谱和反射谱,两者能符合得很好。并发现对称超表面结构的反射谱对入射光传播方向不敏感,而非对称超表面结构的反射谱在共振频率附近对入射光传播方向有依赖。研究结果对利用不对称超原子设计具有任意反射系数的超表面具有指导作用。

关于介质旋光性的再认识

借助于对介质极化率张量的分析，表明在传光介质中波的模态之变化与介质的吸收性能有很大关系．如同吸收性一样旋光性是介质的一种普遍性质．进而引入虚吸收系数γs，可以唯象地解释所有天然和人工旋光性．

基于GSTCs方法的超表面特性研究

广义薄层转换条件(GSTCs)是一种专门研究超薄结构的方法,近年来在研究超表面等薄层结构处的电磁场传播及边界条件上得到了广泛的应用,进而从数值角度得到超薄材料处电磁波的传播特性。GSTCs方法引入极化率张量表示超表面的电磁特性,通过设计极化率张量的取值模拟不同的超表面,利用算法仿真研究电磁波的传播过程及超表面对电磁波的调制功能。

D-π-A型有机光学材料的实验展开系数唯一性研究

以单光束偏振倍频理论为基础,研究了在手性实验装置中当起始入射光和倍频出射光的偏振态均为线性时,与p+s偏振倍频光信号相关的非零实验展开系数f,g和h的唯一性。研究结果表明,对于具有D-π-A型结构的有机光学材料分子,当采用s和p±s等类型线偏振起始光时,实验拟合展开系数唯一,而p线偏振起始光情况的拟合系数却不唯一,相应p+s线偏振倍频探测的模拟信号能够完全解释实验结果与早期理论预示之间的矛盾。为了精确确定D-π-A型结构材料的所有二阶非线性极化率张量元,在手性实验装置中避免使用p偏振起始光是非常有必要的。