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弥散SiC颗粒增韧氧化铝陶瓷内部残余应力分析 被引量:3
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作者 张存满 徐政 《同济大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第11期1326-1330,共5页
根据烧结原理,建立了弥散颗粒分布模型及残余应力计算模型,并进行了一维方向上的残余应力计算,从理论上探讨了弥散SiC颗粒增韧氧化铝陶瓷的相应机理通过应力计算分析了影响残余应力大小的基本因素,为合理选取弥散颗粒的加入量提供了理... 根据烧结原理,建立了弥散颗粒分布模型及残余应力计算模型,并进行了一维方向上的残余应力计算,从理论上探讨了弥散SiC颗粒增韧氧化铝陶瓷的相应机理通过应力计算分析了影响残余应力大小的基本因素,为合理选取弥散颗粒的加入量提供了理论依据。 展开更多
关键词 弥散SiC颗粒 氧化铝陶瓷 增韧机理 应力计算 残余应力 弥散颗粒分布模型
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