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用激光干涉法分析薄膜应力
被引量:
6
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作者
胡一贯
乐德芬
陈宁伟
《中国科学技术大学学报》
CAS
CSCD
北大核心
1992年第2期204-208,共5页
本文叙述了激光干涉弯曲晶片薄膜应力测定法的原理。依据这一原理建立了薄膜应力分析系统,并实际分析了作为X射线掩模基膜的Si_3N_4膜中的应力。用Stoney公式计算出Si_3N_4膜的内应力为6.4×10~8dyn/cm^2。
关键词
薄膜
内应力
激光干涉
弯曲晶片法
下载PDF
职称材料
题名
用激光干涉法分析薄膜应力
被引量:
6
1
作者
胡一贯
乐德芬
陈宁伟
机构
中国科技技术大学物理系
出处
《中国科学技术大学学报》
CAS
CSCD
北大核心
1992年第2期204-208,共5页
文摘
本文叙述了激光干涉弯曲晶片薄膜应力测定法的原理。依据这一原理建立了薄膜应力分析系统,并实际分析了作为X射线掩模基膜的Si_3N_4膜中的应力。用Stoney公式计算出Si_3N_4膜的内应力为6.4×10~8dyn/cm^2。
关键词
薄膜
内应力
激光干涉
弯曲晶片法
Keywords
stress in thin films, Laser interference, bent wafer, X-ray mask
分类号
O484.5 [理学—固体物理]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
用激光干涉法分析薄膜应力
胡一贯
乐德芬
陈宁伟
《中国科学技术大学学报》
CAS
CSCD
北大核心
1992
6
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