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用激光干涉法分析薄膜应力 被引量:6
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作者 胡一贯 乐德芬 陈宁伟 《中国科学技术大学学报》 CAS CSCD 北大核心 1992年第2期204-208,共5页
本文叙述了激光干涉弯曲晶片薄膜应力测定法的原理。依据这一原理建立了薄膜应力分析系统,并实际分析了作为X射线掩模基膜的Si_3N_4膜中的应力。用Stoney公式计算出Si_3N_4膜的内应力为6.4×10~8dyn/cm^2。
关键词 薄膜 内应力 激光干涉 弯曲晶片法
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