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单片集成压力传感器及弱信号处理电路的设计 被引量:4
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作者 周旭华 徐世六 张正元 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2011年第5期672-675,680,共5页
通过分析硅压敏电阻与晶向的关系,找到力敏电阻在硅膜片上的最佳位置。经测量,在10~400kPa范围内,压阻电桥的灵敏度约为0.36mV/kPa。提出一种由惠斯登电桥双端输出和双级放大器组成的电路结构,以对称的输入结构和全摆幅输出,解决了传... 通过分析硅压敏电阻与晶向的关系,找到力敏电阻在硅膜片上的最佳位置。经测量,在10~400kPa范围内,压阻电桥的灵敏度约为0.36mV/kPa。提出一种由惠斯登电桥双端输出和双级放大器组成的电路结构,以对称的输入结构和全摆幅输出,解决了传感器输出小、易产生零点漂移的问题。用Cadence软件对电路进行模拟,在5V电源电压下,该放大电路的输出范围为0.036~4.953V,开环增益为110dB,CMRR为105.8dB,相位裕度为63.68°,可满足压力传感器的要求。 展开更多
关键词 压力传感器 压敏 单片集成 弱信号处理电路
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