一种改进型电调谐电流差分跨导放大器的设计

设计了一种电流增益和跨导均可线性调节的电调谐电流差分跨导放大器(ECDTA)。电路改变了电流单位增益传输的固有模式,采用工作于弱反型区的MOS管跨导线性环,得到了可电调谐的电流增益;跨导放大级采用CMOS对管和浮地电源交叉耦合放大器,在传输特性的非线性误差不大于1%时,电路的差动输入电压范围可达±2.8 V。采用SMIC 60 nm CMOS工艺进行设计,在±0.9 V电源电压下仿真表明,电流传输增益可在0.105~8.98范围内线性调节,跨导值可在0.056 m S^0.204 m S范围内线性调节;电路总功耗仅为0.31 m W。

面向低功耗高频应用的40 nm MOSFET漏极电流噪声建模

针对40 nm MOSFET和表征其噪声机理的漏极电流噪声进行了研究,从强反型区到弱反型区对高频特性进行了测量和分析,建立了一个基于物理的40 nm MOSFET漏极电流噪声简洁模型。77 K和300 K温度条件下的研究结果表明:在低压弱相互作用条件下,40 nm MOSFET的高频噪声机理由受抑制的散粒噪声转变为热噪声。这个噪声机理的发现有利于纳米级MOSFET在弱反型区的高频建模和低功耗应用。

应用于ETCS超低功耗唤醒接收机的设计

基于DSRC标准,介绍了唤醒接收机在ETCS中的应用,通过采用提出的设计方案,设计一款低功耗,高灵敏度唤醒接收机.基于0.13μm CMOS工艺,实现了偏置电路,放大电路,比较器,电流基准源和驱动等电路模块.采用优化的电路结构,使得运放有较低功耗和高增益.为了减小噪声和比较器自身失调对比较器输出的影响,采用带迟滞功能的比较器.仿真结果表明,唤醒接收机可工作在2~3.3V电源电压,-40~80度下,典型情况下基带的检测灵敏度为-68.3dBm,直流电流为6.97μA.