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InSb薄膜磁阻效应的厚度依赖性
被引量:
1
1
作者
张豫徽
宋志勇
+3 位作者
陈平平
林铁
田丰
康亭亭
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2017年第3期311-315,共5页
在12~300K的温度范围内研究了InSb薄膜(利用MBE生长)的磁阻效应随厚度的变化关系.实验发现厚的InSb薄膜只能产生半经典(∝B2)磁阻效应.而减小薄膜厚度,在薄的InSb薄膜中会更容易出现弱反局域化效应,从而造成在低温下(<35K)出现了一...
在12~300K的温度范围内研究了InSb薄膜(利用MBE生长)的磁阻效应随厚度的变化关系.实验发现厚的InSb薄膜只能产生半经典(∝B2)磁阻效应.而减小薄膜厚度,在薄的InSb薄膜中会更容易出现弱反局域化效应,从而造成在低温下(<35K)出现了一个异常的随温度增加而迁移率降低的趋势.我们发现该弱反局域化效应可用HLN模型拟合,证明了它可能来源于二维(2-D)体系,比如InSb的界面态.
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关键词
锑
化
铟
磁阻效应
弱反局域化
效应
界面/表面态
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职称材料
三维拓扑绝缘体antidot阵列结构中的磁致输运研究
2
作者
敬玉梅
黄少云
+2 位作者
吴金雄
彭海琳
徐洪起
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018年第4期198-204,共7页
利用聚焦离子束刻蚀技术在拓扑绝缘体Bi_2Se_3薄膜中刻蚀了纳米尺度的反点(antidot)阵列,并对制作的三个器件进行了系统的电学输运测量研究.低温下,所有器件中都观察到明显的弱反局域化效应.通过对弱反局域化效应的分析,发现器件一(Dev...
利用聚焦离子束刻蚀技术在拓扑绝缘体Bi_2Se_3薄膜中刻蚀了纳米尺度的反点(antidot)阵列,并对制作的三个器件进行了系统的电学输运测量研究.低温下,所有器件中都观察到明显的弱反局域化效应.通过对弱反局域化效应的分析,发现器件一(Dev-1,不含有antidot阵列)和器件二(Dev-2,含有周期较大的antidot阵列)是始终由一个导电通道主导的量子输运系统,但在器件三(Dev-3,含有周期较小的antidot阵列)中能明确观察到较低温度下存在两个独立的导电通道,而在较高温度下Dev-3表现为由一个导电通道主导的量子输运系统.
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关键词
拓扑绝缘体
antidot阵列
弱反局域化
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职称材料
Bi基拓扑绝缘体纳米薄片的制备和输运性质的研究
3
作者
王庆斌
叶军
+3 位作者
蔡日
陈国辉
林明伟
宋翰彪
《大学物理》
2018年第6期30-32,49,共4页
拓扑绝缘体表面态传输耗散少,有可能作为变电站中的电传输新材料.我们采用化学气相沉积法制备了Bi_2Te_3拓扑绝缘体纳米薄片,通过光学显微镜、原子力显微镜和扫描电镜表征,优化了制备参数进而获得Bi_2Te_3纳米薄片.采用光刻技术在Bi_2T...
拓扑绝缘体表面态传输耗散少,有可能作为变电站中的电传输新材料.我们采用化学气相沉积法制备了Bi_2Te_3拓扑绝缘体纳米薄片,通过光学显微镜、原子力显微镜和扫描电镜表征,优化了制备参数进而获得Bi_2Te_3纳米薄片.采用光刻技术在Bi_2Te_3纳米薄片上制作金属电极,测量其输运性质,观察到了来自拓扑表面态的弱反局域化效应.运用传统的弱局域化理论得到表面态电子的退相干长度约为130 nm.
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关键词
拓扑绝缘体
BI2TE3
化
学气相沉积
弱反局域化
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职称材料
题名
InSb薄膜磁阻效应的厚度依赖性
被引量:
1
1
作者
张豫徽
宋志勇
陈平平
林铁
田丰
康亭亭
机构
上海理工大学材料科学与工程学院
中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室
华东师范大学极化材料与器件教育部重点实验室
出处
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2017年第3期311-315,共5页
基金
国家自然科学基金(11204334
61475178)~~
文摘
在12~300K的温度范围内研究了InSb薄膜(利用MBE生长)的磁阻效应随厚度的变化关系.实验发现厚的InSb薄膜只能产生半经典(∝B2)磁阻效应.而减小薄膜厚度,在薄的InSb薄膜中会更容易出现弱反局域化效应,从而造成在低温下(<35K)出现了一个异常的随温度增加而迁移率降低的趋势.我们发现该弱反局域化效应可用HLN模型拟合,证明了它可能来源于二维(2-D)体系,比如InSb的界面态.
关键词
锑
化
铟
磁阻效应
弱反局域化
效应
界面/表面态
Keywords
InSb, magnetoresistance, weak antilocalization effect, surface/interface states
分类号
O472 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
三维拓扑绝缘体antidot阵列结构中的磁致输运研究
2
作者
敬玉梅
黄少云
吴金雄
彭海琳
徐洪起
机构
北京大学电子学系
北京大学化学与分子工程学院
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018年第4期198-204,共7页
基金
国家重点基础研究发展计划(批准号:2016YFA0300601,2016YFA0300802,2017YFA0303304,2017YFA0204901)和国家自然科学基金(批准号:91221202,91421303,11274021)资助的课题.
文摘
利用聚焦离子束刻蚀技术在拓扑绝缘体Bi_2Se_3薄膜中刻蚀了纳米尺度的反点(antidot)阵列,并对制作的三个器件进行了系统的电学输运测量研究.低温下,所有器件中都观察到明显的弱反局域化效应.通过对弱反局域化效应的分析,发现器件一(Dev-1,不含有antidot阵列)和器件二(Dev-2,含有周期较大的antidot阵列)是始终由一个导电通道主导的量子输运系统,但在器件三(Dev-3,含有周期较小的antidot阵列)中能明确观察到较低温度下存在两个独立的导电通道,而在较高温度下Dev-3表现为由一个导电通道主导的量子输运系统.
关键词
拓扑绝缘体
antidot阵列
弱反局域化
Keywords
topological insulator
antidot array
weak anti-localization
分类号
O469 [理学—凝聚态物理]
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职称材料
题名
Bi基拓扑绝缘体纳米薄片的制备和输运性质的研究
3
作者
王庆斌
叶军
蔡日
陈国辉
林明伟
宋翰彪
机构
广东电网有限责任公司云浮供电局
武汉欣泰宇电力电子科技有限公司
出处
《大学物理》
2018年第6期30-32,49,共4页
文摘
拓扑绝缘体表面态传输耗散少,有可能作为变电站中的电传输新材料.我们采用化学气相沉积法制备了Bi_2Te_3拓扑绝缘体纳米薄片,通过光学显微镜、原子力显微镜和扫描电镜表征,优化了制备参数进而获得Bi_2Te_3纳米薄片.采用光刻技术在Bi_2Te_3纳米薄片上制作金属电极,测量其输运性质,观察到了来自拓扑表面态的弱反局域化效应.运用传统的弱局域化理论得到表面态电子的退相干长度约为130 nm.
关键词
拓扑绝缘体
BI2TE3
化
学气相沉积
弱反局域化
Keywords
topological insulators
Bi2Te3
chemical vapor deposition
weak antilocalization
分类号
O4-34 [理学—物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
InSb薄膜磁阻效应的厚度依赖性
张豫徽
宋志勇
陈平平
林铁
田丰
康亭亭
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2017
1
下载PDF
职称材料
2
三维拓扑绝缘体antidot阵列结构中的磁致输运研究
敬玉梅
黄少云
吴金雄
彭海琳
徐洪起
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018
0
下载PDF
职称材料
3
Bi基拓扑绝缘体纳米薄片的制备和输运性质的研究
王庆斌
叶军
蔡日
陈国辉
林明伟
宋翰彪
《大学物理》
2018
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
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