基于弱外延生长的有机薄膜晶体管的研究

采用弱外延生长(Weak Epitaxy Growth, WEG)的方法制备OTFTs,研究了不同衬底温度对诱导层p-6P生长形貌的影响,以及WEG-OTFTs器件特性与诱导层形貌的关系。另外,还研究了诱导层p-6P的厚度变化对WEG-OTFTs场效应迁移率的影响。研究发现随着p-6P厚度增加WEG-OTFTs的场效应迁移率是一个先上升后下降然后再上升再下降的过程。我们在诱导层p-6P的厚度2 nm,衬底温度180度时得到了最大的OTFTs场效应迁移率1.03 cm2/Vs。

基于弱取向外延生长多晶薄膜的OLED研究进展

有机晶体材料中分子排列规则,形成长程有序、缺陷态密度低的结构,相对于非晶态材料具有很好的热稳定性、化学稳定性以及高的载流子迁移率,使得有机晶体材料在发展高性能OLED方面具有巨大的潜力。本文总结了近期利用弱取向外延生长技术发展的多晶薄膜OLED(C-OLED)系列工作。从最初的单结晶层绿光器件发展到多层掺杂深蓝光器件,C-OLED证实晶态有机半导体路线可以实现有效发光,器件表现出低启亮电压、低工作电压、高光输出、高功率效率和低焦耳热损耗等优越特性。

高性能顶栅结构有机薄膜晶体管

采用六联苯(p-6P)和氧钒酞菁(VOPc)作为有源层材料,利用弱外延生长技术制备有机薄膜晶体管(OTFT)。在相同的工艺条件下制备了顶栅结构(top-gate)和底栅结构(bottom-gate)两种器件构型,发现两种不同结构的OTFT器件特性存在较大的差异,top-gate OTFT的迁移率比bottom-gate OTFT高很多。在顶栅结构的器件构型中获得了较高的器件特性参数,迁移率达到1.6cm2/V.s。研究了弱外延生长技术应用在两种不同器件构型中的差异,并解释了顶栅结构OTFT迁移率较高的原因。