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一种0.2-mV 20-MHz 600-μW比较器
被引量:
9
1
作者
孙彤
李冬梅
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第2期270-273,278,共5页
提出了一种低功耗中速高精度比较器。比较器采用3级前置放大器加锁存器的多级结构,应用失调校准技术,用于一个电压2.5 V、速度1 MS/s、精度12位的逐次逼近型A/D转换器。该比较器采用UMC 0.18μm混合模式3.3 V CMOS工艺设计制造。仿真结...
提出了一种低功耗中速高精度比较器。比较器采用3级前置放大器加锁存器的多级结构,应用失调校准技术,用于一个电压2.5 V、速度1 MS/s、精度12位的逐次逼近型A/D转换器。该比较器采用UMC 0.18μm混合模式3.3 V CMOS工艺设计制造。仿真结果表明,在2.5 V电压下,速度可以达到20 MHz,准确比较0.2 mV电压,并能有效校准20 mV输入失调,功耗仅为600μW,版图面积为620μm×190μm。
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关键词
比较器
弱正反馈
失调校准
逐次逼近
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职称材料
一种中速高精度模拟电压比较器的设计
被引量:
4
2
作者
王鑫
唐广
《电子设计工程》
2009年第7期37-39,共3页
设计一种中速高精度模拟电压比较器,该比较器采用3级前置放大器加锁存器和数字触发电路的多级结构,应用失调校准技术消除失调,应用共源共栅结构抑制回程噪声干扰;应用数字触发电路获得高性能数字输出信号,设计采用0.35μm 5 V CMOS工艺...
设计一种中速高精度模拟电压比较器,该比较器采用3级前置放大器加锁存器和数字触发电路的多级结构,应用失调校准技术消除失调,应用共源共栅结构抑制回程噪声干扰;应用数字触发电路获得高性能数字输出信号,设计采用0.35μm 5 V CMOS工艺实现一个输入电压2.5 V、速度1 MS/s、精度12位的逐次逼近型A/D转换器。Hspice仿真结果表明:在5 V供电电压下,速度可达20 MHz,准确比较0.2 mV电压,有效校准20 mV输入失调,功耗约1 mW。
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关键词
比较器
锁存器
失调校准
弱正反馈
逐次逼近
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职称材料
题名
一种0.2-mV 20-MHz 600-μW比较器
被引量:
9
1
作者
孙彤
李冬梅
机构
清华大学微电子学研究所
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第2期270-273,278,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目(60475018)
国家高技术研究发展计划资助项目(2003AAIZ1100)
文摘
提出了一种低功耗中速高精度比较器。比较器采用3级前置放大器加锁存器的多级结构,应用失调校准技术,用于一个电压2.5 V、速度1 MS/s、精度12位的逐次逼近型A/D转换器。该比较器采用UMC 0.18μm混合模式3.3 V CMOS工艺设计制造。仿真结果表明,在2.5 V电压下,速度可以达到20 MHz,准确比较0.2 mV电压,并能有效校准20 mV输入失调,功耗仅为600μW,版图面积为620μm×190μm。
关键词
比较器
弱正反馈
失调校准
逐次逼近
Keywords
Comparator, Weak positive feedback
Offset cancellation
Successive approximation
分类号
TN431.1 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
一种中速高精度模拟电压比较器的设计
被引量:
4
2
作者
王鑫
唐广
机构
电子科技大学电子工程学院
出处
《电子设计工程》
2009年第7期37-39,共3页
文摘
设计一种中速高精度模拟电压比较器,该比较器采用3级前置放大器加锁存器和数字触发电路的多级结构,应用失调校准技术消除失调,应用共源共栅结构抑制回程噪声干扰;应用数字触发电路获得高性能数字输出信号,设计采用0.35μm 5 V CMOS工艺实现一个输入电压2.5 V、速度1 MS/s、精度12位的逐次逼近型A/D转换器。Hspice仿真结果表明:在5 V供电电压下,速度可达20 MHz,准确比较0.2 mV电压,有效校准20 mV输入失调,功耗约1 mW。
关键词
比较器
锁存器
失调校准
弱正反馈
逐次逼近
Keywords
comparator
latch
offset cancellation
weak positive feedback
successive approximation
分类号
TN453 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
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1
一种0.2-mV 20-MHz 600-μW比较器
孙彤
李冬梅
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2007
9
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职称材料
2
一种中速高精度模拟电压比较器的设计
王鑫
唐广
《电子设计工程》
2009
4
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职称材料
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