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聚合物三维微图案加工的转移微模塑新方法
被引量:
2
1
作者
王哲
邢汝博
+1 位作者
韩艳春
李滨耀
《高等学校化学学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第5期946-948,共3页
光刻蚀技术[1]是微电子加工技术中最成功的一种, 但由于受到光学衍射等的限制, 100 nm是光刻蚀的极限, 为此人们探索了许多先进的刻蚀技术[2,3], 如超紫外线刻蚀(EUV)、软X射线刻蚀、电子束刻蚀和聚焦离子束刻蚀(FIB)等, 可制作尺寸小于...
光刻蚀技术[1]是微电子加工技术中最成功的一种, 但由于受到光学衍射等的限制, 100 nm是光刻蚀的极限, 为此人们探索了许多先进的刻蚀技术[2,3], 如超紫外线刻蚀(EUV)、软X射线刻蚀、电子束刻蚀和聚焦离子束刻蚀(FIB)等, 可制作尺寸小于100 nm的图形, 但普遍存在加工速度慢及成本高等缺点.
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关键词
转移微模塑
弹性软模板
聚合物三维微图案
加工
光刻蚀技术
微电子加工技术
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职称材料
题名
聚合物三维微图案加工的转移微模塑新方法
被引量:
2
1
作者
王哲
邢汝博
韩艳春
李滨耀
机构
中国科学院长春应用化学研究所高分子物理与化学国家重点实验室
出处
《高等学校化学学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第5期946-948,共3页
基金
中国科学院"百人计划"
中国科学院知识创新工程方向性项目(批准号:KGCX2-205-03)
+2 种基金
国家杰出青年科学基金(批准号:50125311)
国家自然科学基金(批准号:20023003)
吉林省杰出青年科学基金(批准号:20010101)资助
文摘
光刻蚀技术[1]是微电子加工技术中最成功的一种, 但由于受到光学衍射等的限制, 100 nm是光刻蚀的极限, 为此人们探索了许多先进的刻蚀技术[2,3], 如超紫外线刻蚀(EUV)、软X射线刻蚀、电子束刻蚀和聚焦离子束刻蚀(FIB)等, 可制作尺寸小于100 nm的图形, 但普遍存在加工速度慢及成本高等缺点.
关键词
转移微模塑
弹性软模板
聚合物三维微图案
加工
光刻蚀技术
微电子加工技术
Keywords
Microtransfer molding
Micropatterning
Elastomeric stamp
分类号
TN305.7 [电子电信—物理电子学]
TN405.98 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
聚合物三维微图案加工的转移微模塑新方法
王哲
邢汝博
韩艳春
李滨耀
《高等学校化学学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003
2
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职称材料
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