强γ背景下中子针孔成像的点扩展函数

利用基于Geant4建立起来的针孔成像模型获得了不同偏移量下γ与中子的好事例、能量沉积的比值，并模拟分析了强γ背景对中子针孔成像点扩展函数的影响。研究结果表明：在偏移量小于1cm时，γ与中子的好事例之比、γ与中子的能量沉积峰值之比以及γ与中子的能量沉积总和之比分别在0.40～0.42，0.63～0.65以及0.46～0.49之间；偏移量大于1cm时，比值下降明显，γ对中子的影响减小。在同一偏移量下，γ射线的点扩展函数的分布范围要比中子的小，两者叠加后所获得的点扩展函数的分布范围介于两者之间。在一定入射偏移范围内的成像质量优于在针孔中心位置入射时的成像质量。