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长串高压硅堆的电压分布与不等值均压分析
被引量:
3
1
作者
张磊
傅正财
+2 位作者
孙伟
贺林
陈坚
《高压电器》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第6期24-27,共4页
内部均压是高压硅堆研制的关键技术,而硅堆电压分布不均的现象在端部最为突出。以硅堆分布参数等效电路为基础,先采用解析方法分析硅堆内部电压分布规律和影响因素,针对硅堆端部电压分布尤其不均匀的特点,建立EMTP仿真模型,分析端部强...
内部均压是高压硅堆研制的关键技术,而硅堆电压分布不均的现象在端部最为突出。以硅堆分布参数等效电路为基础,先采用解析方法分析硅堆内部电压分布规律和影响因素,针对硅堆端部电压分布尤其不均匀的特点,建立EMTP仿真模型,分析端部强制均压元件参数对硅堆电压分布不均匀系数的影响。提出采用非等值均压参数配置方法改善端部电压分布,并通过实验验证了这种非等值均压参数配置方法对改善高压硅堆电压分布不均匀度的效果。研究表明,这种端部均压方法能有效降低硅堆端部的分压,从而提高硅堆整体的反向耐压。
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关键词
高
压
直流
整流
高
压
硅堆
强制均压
硅整流管
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职称材料
题名
长串高压硅堆的电压分布与不等值均压分析
被引量:
3
1
作者
张磊
傅正财
孙伟
贺林
陈坚
机构
上海交通大学电气工程系
出处
《高压电器》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第6期24-27,共4页
文摘
内部均压是高压硅堆研制的关键技术,而硅堆电压分布不均的现象在端部最为突出。以硅堆分布参数等效电路为基础,先采用解析方法分析硅堆内部电压分布规律和影响因素,针对硅堆端部电压分布尤其不均匀的特点,建立EMTP仿真模型,分析端部强制均压元件参数对硅堆电压分布不均匀系数的影响。提出采用非等值均压参数配置方法改善端部电压分布,并通过实验验证了这种非等值均压参数配置方法对改善高压硅堆电压分布不均匀度的效果。研究表明,这种端部均压方法能有效降低硅堆端部的分压,从而提高硅堆整体的反向耐压。
关键词
高
压
直流
整流
高
压
硅堆
强制均压
硅整流管
Keywords
HVDC
rectifier
HV silicon stack
forced voltage sharing
silicon diode
分类号
TM832 [电气工程—高电压与绝缘技术]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
长串高压硅堆的电压分布与不等值均压分析
张磊
傅正财
孙伟
贺林
陈坚
《高压电器》
CAS
CSCD
北大核心
2009
3
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参考文献
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