GaN HFET中的能带峰耗尽

考虑强场峰和耗尽电势随栅压的变化后,使用新编的场效应管能带计算软件计算了GaN HFET在不同栅、漏电压下的场效应管能带和漂移及局域电子气密度,发现了强场峰中耗尽区内外漂移电子气的耗尽台阶和能带峰台阶以及耗尽区外的局域电子气峰。研究了不同栅、漏电压下的场效应管能带的耗尽过程,发现耗尽区接触能带峰后的巨大能带畸变。提出了能带峰耗尽的新概念。运用应力偏置后测试偏置下局域电子气势垒和非稳态异质结的变化及局域电子气行为确立了应力偏置中内沟道夹断和外沟道强场峰的关联。通过施加应力偏置后在测试偏置下的非稳态强场峰充电过程中两种电子气的不同输运行为解释了动态沟道电流中的快峰和慢峰,建立起基于场效应管能带理论的新的动态电流崩塌模型。