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题名非对称半导体量子阱中高阶量子关联效应的研究
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作者
张振兴
郭洪菊
王飞
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机构
三峡大学
上海理工大学上海出版印刷高等专科学校
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出处
《量子光学学报》
北大核心
2021年第3期235-245,共11页
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基金
国家自然科学基金(11574179,11774235,61875125)
湖北省自然科学基金(2014CFC1148)。
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文摘
本文在三能级级联结构的非对称半导体量子阱中研究了荧光的高阶量子关联效应.利用三个激光场同时驱动三个偶极允许的跃迁时,研究结果发现强度-强度关联函数和强度-振幅关联函数依赖于驱动场的相对相位及拉比频率.在三个驱动场拉比频率相等的条件下,相对相位为0时,二阶关联呈现出强关联;相位不为0时,二阶关联为一般关联.不仅如此,我们发现改变相位可以调节三阶关联函数时间不对称性程度,相位为π/2或3π/2正时和负时关联函数表现了较好的对称性.另外,我们发现通过调节拉比频率的大小可以实现二阶关联由强关联向一般关联效应转换,三阶强度-幅度关联的值得到极大增强.最后,利用修饰态绘景我们分析了上述现象内在的物理机制为多重量子干涉效应.这些结果可能对于高精度测量和产生单光子源具有潜在的应用价值.
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关键词
半导体量子阱
强度-强度关联
强度-振幅关联
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Keywords
Semiconductor Quantum Well
Intensity-Intensity Correlation
Intensity-Amplitude Correlation
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分类号
O431
[机械工程—光学工程]
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