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题名强流平板二极管阻抗特性分析
被引量:1
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作者
胡杨
杨海亮
张鹏飞
孙江
孙剑锋
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机构
西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室
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出处
《太赫兹科学与电子信息学报》
北大核心
2019年第2期338-342,共5页
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基金
国家自然科学基金资助项目(11305128
11505142
+1 种基金
11705150)
强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室资助项目(SKLIPR1503)
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文摘
在"剑光一号"上搭建了二极管平台,理论估计了二极管阻值,进行了平板二极管阻抗和束流分布测量实验。结合法拉第筒阵列测得的束流密度分布、粒子模拟(PIC)仿真结果对二极管阻抗特性进行了全面的对比分析。结果表明,二极管工作于弱箍缩状态,阻抗阻值略低于估计值,阻抗曲线、法拉第筒波形以及束流箍缩程度三者间存在高度的相关性。当阻抗曲线处在前端(导通前)和末期(崩溃段)时,束流均处在未箍缩期间,法拉第筒信号无有效数据;阻抗曲线处在平区时,二极管工作平稳,束流箍缩情况和法拉第筒信号稳定,阳极边缘处的法拉第筒波形呈现双峰,与束流箍缩运动情况相符。
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关键词
阻抗
束流箍缩
强流平板二极管
法拉第筒
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Keywords
impedance
beam pinching
high-current plain diode
Faraday cup
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分类号
TN624.2
[电子电信—电路与系统]
TL506
[核科学技术—核技术及应用]
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