强脉冲X射线辐照在Si-SiO_2中感生的界面态及退火消除

利用强脉冲 X射线对 Si- Si O2 界面进行了辐照 ,测量了界面态曲线和退火曲线。实验显示 :经过强脉冲 X射线对 Si- Si O2 界面进行的辐照 ,在 Si- Si O2 界面感生出新的界面态 ,感生界面态的增加与辐照剂量成正比 ,并且易出现饱和现象。总结出了感生界面态密度产额 Dit随辐照剂量 D变化的分布式 ,并定性分析了Dit随 D变化的行为。退火实验表明 ;强脉冲 X射线辐照感生出的界面态越多 ,退火时这些界面态就消除得越快。退火过程显示有滞后现象 ,即辐照剂量大的阈电压漂移 ,在退火后恢复的绝对值 ,要小于辐照剂量小的阈电压漂移。导出了阈电压漂移随退火时间变化的关系 ,定性解释了滞后现象。