ECLD激光器三种模型的双稳特性比较

为了研究频率偏离增益峰值时光栅外腔半导体激光器的双稳特性,对比了以前研究双稳态的原简化模型和近期建立的H参量简化模型、H参量模型所得的双稳环环宽及其存在的条件;采用数值计算和模拟的方法,讨论了三种模型在不同剩余反射率下的双稳环环宽与频率的关系,将H参量简化模型、H参量模型在相同模式中环宽随剩余反射率的变化曲线进行了比较。结果表明,三种模型在增益峰值处的双稳特性相同,第一种模型只能反映增益峰值处的双稳特性,后两种模型能够展示调谐范围内的双稳特性,但在增益峰值两侧新的两种模型的双稳特性有很大的差异,所以在研究ECLD的双稳特性时考虑双稳环随H参量的变化而倾斜十分必要。

基于H参量模型的外腔激光器双稳特性分析

采用H参量模型,导出了外腔激光器(ECLD)调谐范围内双稳环的环宽解析式以及决定双稳环存在条件的倾斜因子表达式;数值模拟了剩余反射率对倾斜因子的影响,并比较了引入倾斜因子前后的环宽。结果表明,在调谐范围内偏离增益峰值的频率处不仅存在双稳环,而且环宽极大值可达以往计算结果的2倍,环宽极大值位于两种环宽相等的频率处;同时发现环宽极大值随剩余反射率减小向低频移动,频率大于增益峰值时双稳环因倾斜因子的影响可能提前消失。