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压应变SiGe和张应变Si的能带结构研究
1
作者
周志文
叶剑锋
李世国
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第1期1-5 59,共6页
根据体Si和体Ge的能带结构特点,基于形变势理论,计算了SiGe合金的应变对其能级的影响。静压应变导致能级偏移,单轴应变导致简并能级分裂,使得应变SiGe合金的禁带宽度随应变的增加而减小。共度生长在体Si衬底上的SiGe合金,以及共度生长在...
根据体Si和体Ge的能带结构特点,基于形变势理论,计算了SiGe合金的应变对其能级的影响。静压应变导致能级偏移,单轴应变导致简并能级分裂,使得应变SiGe合金的禁带宽度随应变的增加而减小。共度生长在体Si衬底上的SiGe合金,以及共度生长在体SiGe衬底上的Si,它们的禁带宽度随Ge组份的增加近乎线性减小。完全压应变的Si_(0.5)Ge_(0.5)合金,其禁带宽度从无应变时的0.93eV减小为0.68eV。Ge组份为0.5时,完全张应变的Si,其禁带宽度从无应变时的1.12eV减小为0.85eV。
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关键词
SIGE合金
应变
能带结构
形变势理论
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职称材料
共价键结合的石墨烯和碳纳米管三维复合材料的载流子迁移率研究
被引量:
2
2
作者
许南鑫
李典
+1 位作者
高进伟
赵红波
《华南师范大学学报(自然科学版)》
CAS
北大核心
2015年第5期28-32,共5页
应用密度泛函理论对共价键结合的多孔石墨烯和单壁碳纳米管三维复合材料进行结构优化和能带计算,确定石墨烯和碳纳米管以共价键的形式结合.基于第一性原理计算出石墨烯二维平面上的弹性常数和形变势常数,得到石墨烯电子和空穴迁移率约为...
应用密度泛函理论对共价键结合的多孔石墨烯和单壁碳纳米管三维复合材料进行结构优化和能带计算,确定石墨烯和碳纳米管以共价键的形式结合.基于第一性原理计算出石墨烯二维平面上的弹性常数和形变势常数,得到石墨烯电子和空穴迁移率约为104cm2/(V·s),比完整的单层石墨烯低1个数量级.该模型可以扩展到共价键结合的碳元素三维空间结构,在未来的有机电子学领域具有广阔的发展前景.
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关键词
石墨烯
单壁碳纳米管
载流子迁移率
形变势理论
密度泛函
理论
复合材料
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职称材料
题名
压应变SiGe和张应变Si的能带结构研究
1
作者
周志文
叶剑锋
李世国
机构
深圳信息职业技术学院电子与通信学院
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第1期1-5 59,共6页
基金
广东省高等学校优秀青年教师资助项目(Yq2014123)
深圳市科技计划资助项目(JCYJ20120821162230170)
文摘
根据体Si和体Ge的能带结构特点,基于形变势理论,计算了SiGe合金的应变对其能级的影响。静压应变导致能级偏移,单轴应变导致简并能级分裂,使得应变SiGe合金的禁带宽度随应变的增加而减小。共度生长在体Si衬底上的SiGe合金,以及共度生长在体SiGe衬底上的Si,它们的禁带宽度随Ge组份的增加近乎线性减小。完全压应变的Si_(0.5)Ge_(0.5)合金,其禁带宽度从无应变时的0.93eV减小为0.68eV。Ge组份为0.5时,完全张应变的Si,其禁带宽度从无应变时的1.12eV减小为0.85eV。
关键词
SIGE合金
应变
能带结构
形变势理论
Keywords
SiGe alloy
strain
band structure
deformation potential theory
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
共价键结合的石墨烯和碳纳米管三维复合材料的载流子迁移率研究
被引量:
2
2
作者
许南鑫
李典
高进伟
赵红波
机构
华南师范大学物理与电信工程学院
香港大学物理系
华南师范大学华南先进光电子研究院
亚利桑那大学航空与机械工程系
出处
《华南师范大学学报(自然科学版)》
CAS
北大核心
2015年第5期28-32,共5页
基金
国家自然科学基金项目(11074077)
文摘
应用密度泛函理论对共价键结合的多孔石墨烯和单壁碳纳米管三维复合材料进行结构优化和能带计算,确定石墨烯和碳纳米管以共价键的形式结合.基于第一性原理计算出石墨烯二维平面上的弹性常数和形变势常数,得到石墨烯电子和空穴迁移率约为104cm2/(V·s),比完整的单层石墨烯低1个数量级.该模型可以扩展到共价键结合的碳元素三维空间结构,在未来的有机电子学领域具有广阔的发展前景.
关键词
石墨烯
单壁碳纳米管
载流子迁移率
形变势理论
密度泛函
理论
复合材料
Keywords
graphene
single-walled carbon nanotubes
carrier mobility
deformation potential theory
density functional theory
composite
分类号
O481.1 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
压应变SiGe和张应变Si的能带结构研究
周志文
叶剑锋
李世国
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2016
0
下载PDF
职称材料
2
共价键结合的石墨烯和碳纳米管三维复合材料的载流子迁移率研究
许南鑫
李典
高进伟
赵红波
《华南师范大学学报(自然科学版)》
CAS
北大核心
2015
2
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职称材料
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