高清晰度稀土彩色荧光粉课题进展简介

随着信息产业革命的到来,对计算机终端显示管(CDT)的需求在我国也日益增多。作为一种高清晰显示终端,它要求屏幕显示的信息(文字或图象)必须有分辨率高和适合人眼生理的性能。 高清晰度显示管(CDT)用的高清晰度稀土彩色荧光粉是由三基色(红、蓝、绿)荧光粉组成,与彩色电视用荧光粉相比具有以下特点:①粉体颗粒度小,其中心粒径d50为4.0μm左右,而彩电荧光粉中心粒径在7～10μm。②发光亮度高,耐电子烧伤,要求粉体具备稳定的化学组成和发光中心。③色彩重现性和对比度要好,以减缓眼睛的疲劳。④荧光粉的应用性能裕度宽。

彩色PDP荧光粉的劣化研究

彩色等离子体平板显示器件已经成为信息显示领域重要发展方向之一 ,荧光粉对PDP器件的性能起着决定性的作用。PDP中的荧光粉是通过丝网印刷的方法涂敷的。荧光粉在制成丝网印刷用荧光粉浆料过程中 ,以及制成PDP器件的过程中 ,都可能使荧光粉的性能降低 ,这就是工序劣化。在制成PDP器件后 ,荧光粉的性能还会随着使用时间的延长进一步降低 ,这就是历时劣化。本文分析了荧光粉的工序劣化和历时劣化产生的原因 ,设计制作了单色PDP试验屏 ,采用CRTColorAnalyzer(CA 1 0 0 )测量了荧光粉在PDP器件中的色坐标 ,并与荧光粉生产厂家提供的色坐标进行比较 ,从而获得了荧光粉的工序劣化和历时劣化值。试验结果表明 ,绿粉 (Zn2 SiO4 ∶Mn2 + )和蓝粉 (BaMgAl10 O17∶Eu2 + )的工序劣化较严重 ,蓝粉的历时劣化最严重 ,其y坐标增大 1 0 % ,x坐标增大 5 %。我们认为改进荧光粉浆料成份和配比 ,从而降低荧光粉的烧结温度以及采用比表面积大的荧光粉颗粒 ,有助于改善工序劣化 ;改进MgO的性能 ,提高其溅射能力以及采用新的驱动方法以避免荧光粉遭受离子轰击 。

场发射彩色平板显示器

本文介绍了真空微电子场发射阵列的结构，特性和制造工艺，并提供了四种实用的场发射彩色平板显示器结构。

我国稀土发光材料科学技术发展回顾与展望

本文对我国稀土发光材料科学和技术的发展 ,从机遇和起步 ,跟踪和引进 ,自主发展 ,带动相关科技和产业化发展进行较全面回顾。稀土发光材料已经成为我国信息显示 ,绿色照明工程 ,医疗健康 ,光电子等领域的支柱材料。对比与发达国家的差距和存在问题 ,对进入新世纪和WTO后 ,所面临的新机遇—新挑战以及蓬勃发展前景予以展望。

基于提高温控精度对加热装置的技改

在工厂荧光粉生产制造中，烧成温度是荧光粉质量好坏的关键因素。只有可靠、精确、有效地控制好烧成温度，才有可能生产出高质量的产品。原来的电路结构干扰大，控制精度差，负载采用串联形式，造成故障率高。根据这一情况，对荧光粉遂道式连续烧成炉的电器控制部分进行了改造，使烧成温度的控制精度得到了有效的改善，而且故障率降低，提高了生产效率，生产出了高质量的彩色荧光粉，创造了较好的经济效益。

克服粉管涂层的脱皮

克服粉管涂层的脱皮邱爱叶（浙江省兰溪市荧光灯厂）邵健中（浙江大学信电系）近来，我们厂正在制造一批平面三Ｕ形红绿兰三种颜色的节能荧光灯管。有一段时期，用明管涂覆兰色荧光粉，制成粉管，当粉管从烘干架上取下来时，发现粉层与玻璃管内壁结合得不牢，成片状脱落，...

摆式搅拌机

该设备是我院为北京松下彩色显像管厂配套的彩色荧光粉生产线研制的一种搅拌设备,1993年获核工业总公司科学技术进步三等奖。该设备可用于化工生产中的晶粒洗涤(如彩色荧光粉、药品等的生产过程),可以得到满意的洗涤效果。

浅谈企业科技开发战略

一、适应市场机制的研究开发战略 在当今的市场经济中,企业成为自主经营、自负盈亏、自我发展、自我约束的经济实体。企业的生存与发展取决于市场竞争,市场竞争取决于产品及其质量,而产品及其质量在很大程度上又取决于技术开发。这种经营思想的转变,促使企业形成如下几种研究开发战略思想:

新疆有色金属研究所研究成功磷酸锂生产新工艺

磷酸锂生产新工艺研究在新疆有色金属研究所获得成功。磷酸锂是彩色荧光粉专用材料，是研究所主要产品品种之一。针对磷酸锂原生产工艺成本较高、生产过程中存在氨气及氨水污染环境等问题，科研所技术开发部于今年上半年进行了工艺改进研究并获得成功，新工艺不仅成本低，而且采用无氨法，属于环境友好型，污染极小。该工艺从今年开始应用于生产，5个月以来共计生产磷酸锂产品近8000kg，产品质量稳定，节支增效显著，生产车间及周边环境也得到明显改善。

北京北化精细化学品有限责任公司

北京北化精细化学品有限责任公司,其前身是北京化工厂,隶属于北京化学集团公司,她是国家大型二类企业,成立于1950年11月3日,注册资金8500万元,固定资产原值3.6亿,97年和98年工业总产值4.5亿,利税2600万,出口创汇300万美元。

高亮度SrS：Ce,Ga,F薄膜电致发光器件

在Ga掺杂的SrS:Ce荧光粉膜中，Ga的作用是良好的助熔剂。当在高于750℃的温度下进行快速退火时，用溅射法制成的SrS:Ce,Ga，F膜的晶型由柱形变的球形。此外，晶体的粒径从50nm扩大到500nm。对在800℃时退火的SrS:Ce,Ga，F薄膜的光致发光测试表明该膜的衰减时间为25ns，这说明了Ce离子有效的地掺入了荧光粉中，因而改进了结晶度，使该荧光粉具有了优良的电致发光性能。在具有1.5μm厚的SrS:Ce,Ga,F的薄膜电致发光器件中，在60Hz下，亮度达到了155cd/m^2。此外，在BaTa2O2上绝缘层和SrS:Ce荧光粉层之间加一SiON膜层，器件可以获得高光效，光效达到e40=1.15lm/W。