航空轮胎胎坯径向均匀性建模分析

采用Creo三维软件对720×320航空轮胎胎坯进行建模与运动学模拟,采集由于部件搭接误差和接头定点分布偏移产生的胎坯径向力波动数据,利用Design-Expert软件进行响应面分析,获得胎坯成型过程中部件贴合测控数学模型。研究结果表明:不同速度下,部件搭接误差和接头定点分布偏移与胎坯径向力波动之间的关系用四阶响应面方程表示,方程的拟合效果最佳;对胎坯径向力波动影响较大的因素是胎面长度平方和左胎侧长度平方与带束层长度平方乘积等。

Φ125mm直拉硅单晶氧径向均匀性研究

为控制氧径向均匀性，选择Φ３５０ｍｍ热场。增加晶转速度可以改善氧径向均匀性，但石英坩埚转速对氧径向均匀性没有明显影响。

双频容性耦合等离子体密度径向均匀性研究

利用自主研制的全悬浮双探针,对影响双频容性耦合等离子体径向均匀性的因素进行了研究.发现低频功率、放电气压和放电间距对径向均匀性有明显影响.合适的低频功率、放电气压及较大的极板间距可以得到更均匀的等离子体.采用与实验相同的放电参数,利用改进的二维流体模型进行理论模拟,得到了不同极板问距下径向离子密度分布,并和实验测量结果进行了比较,两者的变化趋势基本符合.

径向非均匀磁场下的磁控管工作性能模拟

为了改善磁控管的输出频谱,使模拟结构更接近实际情况,考虑了磁钢和极靴的实际尺寸。用MAFIA对磁控管内的磁系统进行建模和模拟。得到的磁场纵向分布有随着径向半径的增大而增大的趋势,这种径向不均匀性与实验测试结果一致。将非均匀的径向阶梯形变化磁场分布带入腔体热测计算,模拟得到的π模工作频率2.437 GHz,实际工作频率2.450 GHz,相对偏差0.5%,并在高频谐波的抑制上获得了输出频谱的显著改善,使微波炉磁控管具有更好的电磁防护和实际应用。

硅片氧含量径向不均匀性问题

经多方面检测分析，证明硅片中原始氧含量的径向不均匀度是影响硅片高温过程中的几何稳定性和单片电路成品率的重要因素。

区熔气相掺杂硅单晶径向电阻率均匀性的研究

本文通过试验研究了下轴转速、正反转时间比、偏心度三个方面因素对于区熔气相掺杂硅单晶径向电阻率均匀性的影响。试验结果表明:随着下轴转速的不断增加,单晶径向电阻率分布偏差呈先降低后升高的趋势;正反转时间比增加,单晶径向电阻率分布得到明显改善,正反转角度进一步增加,径向电阻率分布偏差又有升高的趋势;随偏心度增加,单晶边缘与中心点电阻率趋于一致,单晶径向电阻率不均匀性明显减小。

分层γ扫描定量分析中层内放射性非均匀分布影响分析

分层γ扫描(SGS)测量分析方法是核废料与放射性废物定量测量的重要手段,被测样品层内放射性均匀分布是SGS分析方法的基本假设之一。本文采用蒙特卡罗方法模拟计算与实验验证相结合,研究了样品层内放射性非均匀分布对SGS测量分析误差的影响趋势和影响程度。研究表明,当实际样品的层内放射性分布偏离均匀假设时,会导致SGS分析结果偏离实际含量。这一结论与实际测量结果一致。

相位角对容性耦合电非对称放电特性的影响

电非对称效应作为一种新兴技术,被广泛用于对离子能量和离子通量的独立调控.此外,在改善等离子体的径向均匀性方面,电非对称效应也发挥了重要作用.本文采用二维流体力学模型,并耦合麦克斯韦方程组,系统地研究了容性耦合氢等离子体中当放电由多谐波叠加驱动时,不同谐波阶数k下的电非对称效应,重点观察了相位角θ_n对自偏压以及等离子体径向均匀性的影响.模拟结果表明:在同一谐波阶数下,自偏压随相位角θ_n的变化趋势不尽相同,且当k增大(k> 3)时,自偏压随最高频相位角θ_k的变化范围逐渐减小.此外,通过调节相位角θ_n,可以改变轴向功率密度和径向功率密度的相对关系,进而实现对等离子体径向均匀性的调节.研究结果对于利用电非对称效应优化等离子体工艺过程具有一定的指导意义.

高阻区熔硅单晶的径向少子寿命变化

在氩气气氛及真空环境下生长的高阻区熔硅单晶的径向少子寿命分布情况进行了检测。检测结果表明,在氩气气氛下生长的各种规格的高阻单晶,其少子寿命一般都在1 000μs以上,且径向变化大部分在10%以内,当生长工艺参数改变时,单晶少子寿命的径向分布规律虽然会有所不同,但对少子寿命径向均匀性的影响却几乎可以忽略。而在真空环境、不同工艺参数下生长的单晶,其少子寿命的径向分布及均匀性的变化则十分的明显,还会经常看到中心少子寿命400~500μs、边缘区域少子寿命高于1 000μs的单晶。本文在单晶生长试验的基础上,通过对产生这种现象的原因进行分析,确定了采用适当地降低晶体生长速率、提高加热功率的方法,可以使高阻真空区熔硅单晶中心区域的少子寿命的提高,并使其径向分布变均匀。

等离子体浸没注入超低能注入掺杂研究

基于感应耦合等离子体(ICP)技术设计了一套用于在硅基片上制作形成超浅结的等离子体浸没注入(PIII)系统。该ICP PIII系统工作腔室为圆柱形,采用射频功率源,注入偏压源为一脉冲直流电压源,系统与Langmiur探针相连。探针诊断结果表明,该系统的等离子体离子密度达到1017m-3,离子密度径向均匀性达到3.53%。硼和磷的超低能注入试验的二次离子质谱测试结果表明:掺杂离子注入深度在10nm左右,最浅的注入深度为8.6nm(在注入离子密度为1018cm-3时);注入离子剂量达到了1015cm-2以上;掺杂离子浓度峰值在表面以下;注入陡峭度达到了2.5nm/decade。

便携温度校验仪的评价及应用

介绍了评价便携温度校验仪性能的方法,并且提出了其使用时应该注意的问题.在100℃测试点,试验表明,如果不注意热传导的影响,其可能带来4.36℃的误差.