区熔气相掺杂硅单晶径向电阻率均匀性的研究

本文通过试验研究了下轴转速、正反转时间比、偏心度三个方面因素对于区熔气相掺杂硅单晶径向电阻率均匀性的影响。试验结果表明:随着下轴转速的不断增加,单晶径向电阻率分布偏差呈先降低后升高的趋势;正反转时间比增加,单晶径向电阻率分布得到明显改善,正反转角度进一步增加,径向电阻率分布偏差又有升高的趋势;随偏心度增加,单晶边缘与中心点电阻率趋于一致,单晶径向电阻率不均匀性明显减小。