集成电路闩锁效应测试

CMOS制程是现今集成电路产品所采用的主流制程。闩锁效应(Latch-up)是指CMOS器件中寄生硅控整流器(SCR)被触发导通后,所引发的正反馈过电流现象。过电流的持续增加将使集成电路产品烧毁。闩锁效应已成为CMOS集成电路在实际应用中主要失效的原因之一。在国际上,EIA/JEDEC协会在1997年也制订出了半静态的闩锁效应测量标准,但只作为草案,并没有正式作为标准公布。我们国家在这方面还没有一个统一的测量标准,大家都是在JEDEC标准的指导下进行测量。文章针对目前国际上通行的闩锁效应测试方法作一个简要的介绍和研究。

8712ET型网络分析仪检测阻抗的原理

文章介绍了HP8712ET型网络分析仪检测器件阻抗的原理，列出了对共模扼流圈的检测结果。

一种精确测量MOSFET晶圆导通电阻的方法

导通电阻的准确测量是低导通电阻MOSFET晶圆测试中的一个难点。要实现毫欧级导通电阻的测试,必须用开尔文测试法;但实际的MOSFET晶圆表面只有两个电极(G、S),另外一个电极(D)在圆片的背面,通常只能将开尔文的短接点接在承载圆片的吸盘边缘,无法做到真正的开尔文连接,由于吸盘接触电阻无法补偿而且变化没有规律,导致导通电阻无法精确测量。介绍了一种借用临近管芯实现真正开尔文测试的方法,可以实现MOSFET晶圆毫欧级导通电阻准确稳定的测量。

低导通电阻MOSFET测试中的自动校验技术

导通电阻的准确测量是低导通电阻MOSFET测试中的一个难点。介绍了一种用于低导通电阻MOSFET测试过程中自动校验测试系统的方法。通过在DUT板上增加高精度低阻值标准电阻测试回路的方法,在正式测试前对测试系统进行自动校验,校验合格后继续对MOS管进行测试,否则将停止测试;避免了由于自动测试设备(ATE)、DUT板、金手指等测试单元的精度漂移、器件老化等因素导致测试不准确的情况,保证了产品的测试精度,对提升测试的品质具有重要意义。

夹具上的测量与TRL校正

由于现今射频与微波器件的发展已朝向高频化、体积小、重量轻与价格低廉的趋势发展,因此如今的器件大多都不再具有同轴式的接头,取代的是采用各种不同封装技术的表面贴装器件(Surface-Mount Device,SMD)。但是若从器件测量的角度来看,现今所有的网络分析仪都是同轴式的仪器,而且将仪器误差消除的校正方式也都是采用同轴式校正标准件的全双端口校正(Full 2-Port SOLT Calibration)。为了解决此一仪器测量瓶颈,于是就发展出了将器件放在夹具上的测量方式(In-fixture Measurement)与TRL的校正方法。本文主要为读者们介绍此一测量方法与校正方式的基本概念与实际做法。