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硅中微体缺陷激光测试技术的理论与实验研究
被引量:
2
1
作者
陈军
尤政
+1 位作者
周兆英
刘兴占
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1997年第3期174-178,共5页
提出了一种基于广义洛伦兹-米氏理论(GeneralizedLorenz&MieTheory)的硅中μm/nm级体缺陷的激光无损检测新途径.叙述了有关的理论基础,进行了系统的计算机仿真与特征提取的研究,实现了系统的模拟...
提出了一种基于广义洛伦兹-米氏理论(GeneralizedLorenz&MieTheory)的硅中μm/nm级体缺陷的激光无损检测新途径.叙述了有关的理论基础,进行了系统的计算机仿真与特征提取的研究,实现了系统的模拟实验,验证了理论的正确性及方案的可行性.
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关键词
硅
激光
无损检测
微体缺陷
L-M散射理论
下载PDF
职称材料
MEMS器件中的微体缺陷检测研究
被引量:
1
2
作者
李颖鹏
尤政
李滨
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2002年第4期351-355,共5页
为实现对硅基材料和MEMS器件内微体缺陷的无损、高效和准确检测 ,在研究广义洛仑兹 米氏散射理论的基础上 ,针对硅基材料和MEMS器件的物理特点 ,对球形缺陷与红外激光相互作用在非垂直方向散射光强分布特点进行了研究和计算机仿真 ,提...
为实现对硅基材料和MEMS器件内微体缺陷的无损、高效和准确检测 ,在研究广义洛仑兹 米氏散射理论的基础上 ,针对硅基材料和MEMS器件的物理特点 ,对球形缺陷与红外激光相互作用在非垂直方向散射光强分布特点进行了研究和计算机仿真 ,提出利用红外激光背散射分布分析对硅基材料和MEMS器件内部缺陷进行检测的方法 ,并通过实验验证了该方法的有效性。
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关键词
硅基材料
光强分布分析
检测
微体缺陷
广义洛仑兹-米氏散射理论
背散射
MEMS
下载PDF
职称材料
半导体材料微体缺陷激光扫描分析技术
被引量:
1
3
作者
尤政
李颖鹏
+2 位作者
杨建中
陈非凡
于世洁
《清华大学学报(自然科学版)》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第11期87-90,共4页
半导体材料内部的一致性是实现微器件功能的重要保证。为实现半导体材料微体缺陷的无损、高效、和准确检测 ,在研究广义 L orenz- Mie理论的基础上 ,通过将散射光分布分析引入到检测当中 ,提出了对近红外激光散射信号探测和缺陷大小特...
半导体材料内部的一致性是实现微器件功能的重要保证。为实现半导体材料微体缺陷的无损、高效、和准确检测 ,在研究广义 L orenz- Mie理论的基础上 ,通过将散射光分布分析引入到检测当中 ,提出了对近红外激光散射信号探测和缺陷大小特征的判据 ,来检测半导体材料缺陷的方法。介绍了检测的基本原理和理论模型 ,以及基于这一构想的全自动检测系统的实现方法 ,并提出了微缺陷检测的判据。对一组 Ga As样品进行了实验研究 。
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关键词
半导
体
材料
微体缺陷
广义Lorenz-Mie理论
散射
光强分布
自动检测
原文传递
硅中的点缺陷的控制和利用
4
作者
闵靖
《上海有色金属》
CAS
2003年第3期129-135,共7页
介绍依靠拉晶速度和固液界面处的轴向温度梯度之比,影响空位和自间隙原子在直拉硅单晶中的分布。合理设计热场分布,减少直拉硅单晶中的缺陷。低剂量氧离子注入能降低SIMOX硅片顶层硅中的间隙原子浓度,从而降低穿透位错的密度。最近开发...
介绍依靠拉晶速度和固液界面处的轴向温度梯度之比,影响空位和自间隙原子在直拉硅单晶中的分布。合理设计热场分布,减少直拉硅单晶中的缺陷。低剂量氧离子注入能降低SIMOX硅片顶层硅中的间隙原子浓度,从而降低穿透位错的密度。最近开发了一种称为MDZ的内吸除新技术,通过快速热退火控制硅片中空位浓度的分布,从而得到理想的氧沉淀行为,实现了可靠、可重复的内吸除。
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关键词
硅
点
缺陷
氧沉淀
体
微
缺陷
穿透位错对
内吸除
快速热退火
半导
体
器件
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职称材料
蓝宝石晶片中微/纳米缺陷散射特性的仿真
被引量:
1
5
作者
程洁
王湘宁
+1 位作者
肖永亮
喻更生
《中国激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019年第4期129-135,共7页
基于广义Lorenz-Mie理论,对蓝宝石晶片中微体缺陷的散射特性进行了仿真,分析了散射光接收位置、缺陷大小、入射光波长对散射光强的影响。结果表明:前向散射方向上的空间散射光强信息量最大,检测结果最准确;缺陷大小对散射光强分布具有...
基于广义Lorenz-Mie理论,对蓝宝石晶片中微体缺陷的散射特性进行了仿真,分析了散射光接收位置、缺陷大小、入射光波长对散射光强的影响。结果表明:前向散射方向上的空间散射光强信息量最大,检测结果最准确;缺陷大小对散射光强分布具有显著影响,可以将散射光强分布曲线的特征作为判断缺陷大小的依据;入射光波长越小,测量越准确。
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关键词
散射
MIE理论
蓝宝石晶片
微体缺陷
无损检测
原文传递
题名
硅中微体缺陷激光测试技术的理论与实验研究
被引量:
2
1
作者
陈军
尤政
周兆英
刘兴占
机构
清华大学精密仪器与机械学系
出处
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1997年第3期174-178,共5页
基金
国家自然科学基金
文摘
提出了一种基于广义洛伦兹-米氏理论(GeneralizedLorenz&MieTheory)的硅中μm/nm级体缺陷的激光无损检测新途径.叙述了有关的理论基础,进行了系统的计算机仿真与特征提取的研究,实现了系统的模拟实验,验证了理论的正确性及方案的可行性.
关键词
硅
激光
无损检测
微体缺陷
L-M散射理论
Keywords
generalized Lorenz & Mie scattering theory, Si, laser, non destructive detection.
分类号
TN304.12 [电子电信—物理电子学]
TN304.07 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
MEMS器件中的微体缺陷检测研究
被引量:
1
2
作者
李颖鹏
尤政
李滨
机构
清华大学精密仪器与机械学系
出处
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2002年第4期351-355,共5页
文摘
为实现对硅基材料和MEMS器件内微体缺陷的无损、高效和准确检测 ,在研究广义洛仑兹 米氏散射理论的基础上 ,针对硅基材料和MEMS器件的物理特点 ,对球形缺陷与红外激光相互作用在非垂直方向散射光强分布特点进行了研究和计算机仿真 ,提出利用红外激光背散射分布分析对硅基材料和MEMS器件内部缺陷进行检测的方法 ,并通过实验验证了该方法的有效性。
关键词
硅基材料
光强分布分析
检测
微体缺陷
广义洛仑兹-米氏散射理论
背散射
MEMS
Keywords
Silicic material
\ MEMS
\ Micro bulk defect
\ Generalized Lorenz-Mie Scattering theory
\ Back scattering
\ Light intensity distribution analysis
分类号
TN307 [电子电信—物理电子学]
TN304.07 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
半导体材料微体缺陷激光扫描分析技术
被引量:
1
3
作者
尤政
李颖鹏
杨建中
陈非凡
于世洁
机构
清华大学精密仪器及机械学系
出处
《清华大学学报(自然科学版)》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第11期87-90,共4页
文摘
半导体材料内部的一致性是实现微器件功能的重要保证。为实现半导体材料微体缺陷的无损、高效、和准确检测 ,在研究广义 L orenz- Mie理论的基础上 ,通过将散射光分布分析引入到检测当中 ,提出了对近红外激光散射信号探测和缺陷大小特征的判据 ,来检测半导体材料缺陷的方法。介绍了检测的基本原理和理论模型 ,以及基于这一构想的全自动检测系统的实现方法 ,并提出了微缺陷检测的判据。对一组 Ga As样品进行了实验研究 。
关键词
半导
体
材料
微体缺陷
广义Lorenz-Mie理论
散射
光强分布
自动检测
Keywords
semiconducting material
micro bulk defect
generalized Lorenz Mie theory
scattering
light distribution analyze
auto detection
分类号
TN304.07 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
硅中的点缺陷的控制和利用
4
作者
闵靖
机构
上海市计量测试技术研究院
出处
《上海有色金属》
CAS
2003年第3期129-135,共7页
文摘
介绍依靠拉晶速度和固液界面处的轴向温度梯度之比,影响空位和自间隙原子在直拉硅单晶中的分布。合理设计热场分布,减少直拉硅单晶中的缺陷。低剂量氧离子注入能降低SIMOX硅片顶层硅中的间隙原子浓度,从而降低穿透位错的密度。最近开发了一种称为MDZ的内吸除新技术,通过快速热退火控制硅片中空位浓度的分布,从而得到理想的氧沉淀行为,实现了可靠、可重复的内吸除。
关键词
硅
点
缺陷
氧沉淀
体
微
缺陷
穿透位错对
内吸除
快速热退火
半导
体
器件
Keywords
silicon
poiont defect
oxygen precipitate
bulk microdefect
threading dislocation pairs
internal gettering
rapid thermal annealing
分类号
TN304.1 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
蓝宝石晶片中微/纳米缺陷散射特性的仿真
被引量:
1
5
作者
程洁
王湘宁
肖永亮
喻更生
机构
湘潭大学材料科学与工程学院
湘潭大学物理与光电工程学院
出处
《中国激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019年第4期129-135,共7页
基金
国家自然科学青年基金(61805208)
文摘
基于广义Lorenz-Mie理论,对蓝宝石晶片中微体缺陷的散射特性进行了仿真,分析了散射光接收位置、缺陷大小、入射光波长对散射光强的影响。结果表明:前向散射方向上的空间散射光强信息量最大,检测结果最准确;缺陷大小对散射光强分布具有显著影响,可以将散射光强分布曲线的特征作为判断缺陷大小的依据;入射光波长越小,测量越准确。
关键词
散射
MIE理论
蓝宝石晶片
微体缺陷
无损检测
Keywords
scattering
Mie theory
sapphire wafer
microsphere defect
nondestructive testing
分类号
O436 [机械工程—光学工程]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
硅中微体缺陷激光测试技术的理论与实验研究
陈军
尤政
周兆英
刘兴占
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1997
2
下载PDF
职称材料
2
MEMS器件中的微体缺陷检测研究
李颖鹏
尤政
李滨
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2002
1
下载PDF
职称材料
3
半导体材料微体缺陷激光扫描分析技术
尤政
李颖鹏
杨建中
陈非凡
于世洁
《清华大学学报(自然科学版)》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001
1
原文传递
4
硅中的点缺陷的控制和利用
闵靖
《上海有色金属》
CAS
2003
0
下载PDF
职称材料
5
蓝宝石晶片中微/纳米缺陷散射特性的仿真
程洁
王湘宁
肖永亮
喻更生
《中国激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019
1
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