GaP∶NLED外延片微区光致发光和拉曼散射研究

在国内首次通过微区光致发光结合拉曼散射的方法研究了GaP∶N五层结构的绿色发光外延片 ,用非破坏性的光学方法得到了载流子浓度的纵向分布 ,确定了发光最强的部位在P-区而且不同的样品有不同的光致发光强度随厚度的衰减曲线 ,以此为表征 ,从国内外样品的比较中查找出提高国产样品的改进方向。

钴掺杂硒化锌微纳结构中的发光行为

微区光致发光光谱技术是研究稀磁半导体材料中激子与磁性离子之间相互作用的一种重要方法。通过化学气相沉积法合成了高质量钴离子(Ⅱ)掺杂硒化锌(ZnSe)微纳结构,并通过微区光致发光光谱表征了单个纳米片的带边发光。测试结果表明,Co(Ⅱ)掺杂ZnSe纳米片的带边激光发射峰位在2.77eV,高于室温下闪锌矿结构的ZnSe带边发光2.67eV,证实了该纳米片中同时存在纤锌矿和闪锌矿两种结构。分析发现,纤锌矿结构的Co(Ⅱ)掺杂ZnSe纳米片相比稳定的闪锌矿结构的带边激子态能量更高,并且可产生独自的发光。通过低温下的稳态光谱研究发现,在77K下,可以同时观察到激子、束缚激子和激子磁极化子(EMP)的发光特征。激子磁极化子的发光结果证明,在Co(Ⅱ)掺杂ZnSe纳米片的稀磁半导体体系中可实现玻色子激光的发射,为未来自旋电子器件、光致磁性等技术的发展应用提供了思路。

一种光致发光和电致发光集成测量系统

在电致发光系统的结构基础上,采用固体激光器作为激发光源研制了一套微区光致发光和电致发光集成测量分析系统。通过本套系统对样品光致发光光谱进行探测,其峰值在 475nm 处并且伴随一个卫星峰,对其进行电致发光光谱探测,可观测到不同电压下的发光强度,能有效地对样品的光电特性进行分析和研究。该系统集成了两种 LED 的表征手段,为样品的测试提供了一种有效方法。