激光扫描电化学现场微区光电流图谱技术

讨论了所建立的激光扫描微区光电流图谱测试系统的若干问题及其应用研究实例．实验结果表明：该测试技术是现场研究半导体及具有半导体性质的金属氧化物微区光电化学性质的有力工具，它可以在微米水平上提供许多有关半导体／电解质溶液界面的结构和电子性质方面的重要信息．

铜掺杂NiO薄膜微区电学性能研究

采用导电原子力显微镜(C-AFM)和开尔文探针力显微镜(KPFM)研究了掺杂铜的氧化镍(NiO)薄膜在氟锡氧化物(FTO)衬底上的微区电流成像。研究结果表明:掺杂铜对NiO薄膜的微区电流和功函数有显著影响。Cu+和镍空位缺陷的存在使NiO薄膜拥有较高的微区电流和功函数。微区电流与理查森-肖特基(RS)热离子发射模型一致。

碲镉汞红外光电探测器局域场表征研究进展(特邀)

碲镉汞材料(HgCdTe)是第三代红外探测系统中使用的重要探测材料,其发展水平能基本反映当前红外探测器最优性能指标。近年来,天文、遥感和民用设备对探测器性能提出了更高的要求,这对HgCdTe红外探测器的设计和制备提出了新的挑战。HgCdTe红外探测器更精细的设计和加工技术为提高HgCdTe红外探测器性能提供解决思路。抑制器件的有害局域场、调控器件的有益局域场可以实现器件性能进一步的突破。但是,如何对HgCdTe光电器件局域场进行表征与分析,澄清HgCdTe光电器件中局域场相关的噪声及暗电流起源,是推动器件性能突破需解决的重要关键科学与技术问题。文中将总结HgCdTe红外光电探测器局域场表征与分析的研究进展,为新一代HgCdTe红外光电探测器发展提供基础支撑。