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题名TMAH湿法腐蚀工艺制备微台面结构
被引量:3
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作者
任霄峰
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机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
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出处
《微纳电子技术》
北大核心
2018年第7期526-531,共6页
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文摘
针对目前四甲基氢氧化铵(TMAH)湿法腐蚀工艺制备微台面结构工艺可控性差、需要添加添加剂、溶液使用周期短及工艺维护繁琐、无法实现大尺寸晶圆工程化应用等问题,研究了无添加剂时,微台面的腐蚀形貌与TMAH溶液质量分数和循环速率之间的关系,提升了大尺寸晶圆凸角腐蚀尺寸的均匀性及表面质量,6英寸(1英寸=2.54 cm)硅晶圆内,凸角腐蚀尺寸不均匀性小于5%,台面高度不均匀性小于3%,且腔体底部平整光亮,腐蚀速率较快,实现了工程化应用。当TMAH溶液pH值为12.2-12.6时,微台面结构制备工艺稳定可控、维护简单,实现了高质量微台面结构的可批量化生产。
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关键词
四甲基氢氧化铵(TMAH)
湿法腐蚀
微台面结构
凸角
黑点
循环速率
不均匀性
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Keywords
tetramethylammonium hydroxide (TMAH)
wet etching
micro-mesa structure
convex corner
black dot
cycle rate
non-uniformity
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分类号
TN305.2
[电子电信—物理电子学]
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题名HgCdTe微台面红外焦平面技术研究
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作者
朱西安
孙浩
王成刚
胡小燕
刘明
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机构
华北光电技术研究所
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出处
《激光与红外》
CAS
CSCD
北大核心
2005年第11期826-828,共3页
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文摘
文章报导了采用液相外延(LPE)生长P型材料、B离子注入成结、全干法深台面刻蚀、深台面侧向钝化及电极引出技术制备出中波320×256HgCdTe微台面阵列结构,其相元中心距为30μm,截止波长为5.0μm。
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关键词
HGCDTE
微台面结构
干法刻蚀
侧向钝化
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Keywords
HgCdTe
micro-mesa
dry-etching
side-wall passivation
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分类号
TN205
[电子电信—物理电子学]
TN305
[电子电信—物理电子学]
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