光MOS固体继电器平行缝焊的工艺研究

本文介绍了光MOS固体继电器的封装结构和平行缝焊对其零部件的工艺要求,着重介绍了平行缝焊的原理及平行缝焊工艺,对于在平行缝焊中存在的问题也进行了分析并提出了相应的解决措施。

光MOS固体继电器抗电离辐射研究

分析了光MOS固体继电器在电离辐照条件下的失效模式,并针对组成器件的不同元器件提出了抗辐射的设计方案。采取了包括优化材料、合理设计器件结层厚度、选用抗辐射能力强的钝化膜等工艺技术制作样品,并通过试验对比确认了抗辐射方案的有效性,结果表明,器件抗辐照能力大于30krad(Si),能够满足对星用光MOS固体继电器抗辐射能力的要求。

世界继电器近期热点聚焦

简要介绍了世界继电器市场现状,较全面阐述分析了世界继电器市场近期出现的热点和技术趋势, 并就热点给出了个人见解。

一种高介质耐电压的光MOS继电器的设计

本文介绍了一种高介质耐电压的陶瓷密封光MOS固体继电器的设计技术,着重阐述了一种介质耐电压为4000Vr.m.s的陶瓷密封光MOS固体继电器设计方案,对我国高介质耐电压陶瓷密封型光MOS固体继电器相关方面具有一定的指导意义。