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微型真空电子器件技术研究
被引量:
5
1
作者
冯进军
廖复疆
+1 位作者
朱敏
闫铁昌
《真空电子技术》
2005年第6期8-16,共9页
微波真空电子器件的频率正在向毫米波、亚毫米波甚至太赫兹频率扩展,随着器件频率的提高,高频结构的尺寸越 来越小,传统的机械加工方法已经不能满足零部件精度的要求,需要借助微细加工技术。这一类利用微细加工技术,特别是 深刻技术,如L...
微波真空电子器件的频率正在向毫米波、亚毫米波甚至太赫兹频率扩展,随着器件频率的提高,高频结构的尺寸越 来越小,传统的机械加工方法已经不能满足零部件精度的要求,需要借助微细加工技术。这一类利用微细加工技术,特别是 深刻技术,如LIGA,DEM,DXRL、DRIE等,制作的真空器件,已经形成一门新兴的交叉学科,微真空电子学及相应的技术和应 用。本文对目前微真空电子器件的现状,深刻技术在器件加工的应用进行了分析,希望对开展这些研究打下基础。
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关键词
深刻技术
微型真空电子器件
行波管
速调管
返波振荡器
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职称材料
微型真空电子器件技术的应用
2
作者
焉伟哲
《科技风》
2016年第20期7-7,共1页
微型真空电子器件具有散热能力好、速度快的优势,在多个领域都有着广泛的应用,比如广播、电视、通讯、雷达、导航,、计算机终端显示等领域。本文主要针对微型真空电子器件技术进行介绍,并分析该种技术的应用。
关键词
微型真空电子器件
技术
特点
应用
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职称材料
氧化硅水平隧穿结电子源及其应用
3
作者
朱韬远
李志伟
+2 位作者
詹芳媛
杨威
魏贤龙
《真空科学与技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2024年第9期737-748,共12页
电子源是真空电子设备的核心部件,片上微型电子源是实现微型化、片上化真空电子器件的关键和基础。氧化硅水平隧穿结电子源是本课题组近几年发展的一种新型片上微型电子源,其具有发射效率高、发射电流密度大、工作电压低、能耐受粗真空...
电子源是真空电子设备的核心部件,片上微型电子源是实现微型化、片上化真空电子器件的关键和基础。氧化硅水平隧穿结电子源是本课题组近几年发展的一种新型片上微型电子源,其具有发射效率高、发射电流密度大、工作电压低、能耐受粗真空和时间响应快等优点,展现出较大的应用潜力。文章将从电子发射微观过程及理论模型、阵列化集成以及在真空电子器件中的应用三个方面系统介绍氧化硅水平隧穿结电子源,并对本课题组在该方向上所做的工作进行梳理与总结。
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关键词
氧化硅水平隧穿结
电子
源
片上
微型
电子
源
微型真空电子器件
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职称材料
题名
微型真空电子器件技术研究
被引量:
5
1
作者
冯进军
廖复疆
朱敏
闫铁昌
机构
北京真空电子技术研究所大功率微波电真空器件技术国家级重点实验室
出处
《真空电子技术》
2005年第6期8-16,共9页
基金
国防科技重点实验室基金中国电子科技集团公司科技委基金资助项目
文摘
微波真空电子器件的频率正在向毫米波、亚毫米波甚至太赫兹频率扩展,随着器件频率的提高,高频结构的尺寸越 来越小,传统的机械加工方法已经不能满足零部件精度的要求,需要借助微细加工技术。这一类利用微细加工技术,特别是 深刻技术,如LIGA,DEM,DXRL、DRIE等,制作的真空器件,已经形成一门新兴的交叉学科,微真空电子学及相应的技术和应 用。本文对目前微真空电子器件的现状,深刻技术在器件加工的应用进行了分析,希望对开展这些研究打下基础。
关键词
深刻技术
微型真空电子器件
行波管
速调管
返波振荡器
Keywords
Deep etching
Vacuum electronics
分类号
TN103 [电子电信—物理电子学]
TP3-1 [自动化与计算机技术—计算机科学与技术]
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职称材料
题名
微型真空电子器件技术的应用
2
作者
焉伟哲
机构
湖南省株洲市南方中学
出处
《科技风》
2016年第20期7-7,共1页
文摘
微型真空电子器件具有散热能力好、速度快的优势,在多个领域都有着广泛的应用,比如广播、电视、通讯、雷达、导航,、计算机终端显示等领域。本文主要针对微型真空电子器件技术进行介绍,并分析该种技术的应用。
关键词
微型真空电子器件
技术
特点
应用
分类号
TP3-1 [自动化与计算机技术—计算机科学与技术]
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职称材料
题名
氧化硅水平隧穿结电子源及其应用
3
作者
朱韬远
李志伟
詹芳媛
杨威
魏贤龙
机构
北京大学电子学院纳米器件物理和化学教育部重点实验室
出处
《真空科学与技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2024年第9期737-748,共12页
基金
国家自然科学基金项目(62350040)
国家重点研发计划项目(2019YFZ0210201)。
文摘
电子源是真空电子设备的核心部件,片上微型电子源是实现微型化、片上化真空电子器件的关键和基础。氧化硅水平隧穿结电子源是本课题组近几年发展的一种新型片上微型电子源,其具有发射效率高、发射电流密度大、工作电压低、能耐受粗真空和时间响应快等优点,展现出较大的应用潜力。文章将从电子发射微观过程及理论模型、阵列化集成以及在真空电子器件中的应用三个方面系统介绍氧化硅水平隧穿结电子源,并对本课题组在该方向上所做的工作进行梳理与总结。
关键词
氧化硅水平隧穿结
电子
源
片上
微型
电子
源
微型真空电子器件
Keywords
Silicon oxide horizontal tunneling junction electron sources
On-chip micro-electron sources
Micro-vacuum electronic devices
分类号
TN389 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
微型真空电子器件技术研究
冯进军
廖复疆
朱敏
闫铁昌
《真空电子技术》
2005
5
下载PDF
职称材料
2
微型真空电子器件技术的应用
焉伟哲
《科技风》
2016
0
下载PDF
职称材料
3
氧化硅水平隧穿结电子源及其应用
朱韬远
李志伟
詹芳媛
杨威
魏贤龙
《真空科学与技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2024
0
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职称材料
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