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基于微增材技术制造的氧化铟镓锌薄膜晶体管及其性能
被引量:
1
1
作者
张奇
崔西会
+2 位作者
方杰
项徽清
刘建国
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2021年第12期1171-1175,共5页
薄膜晶体管(Thin-Film Transistors,TFT)是一种重要的有源电子元器件。微笔直写技术作为一种增材制造技术,因其能在三维(3D)曲面基板上直接实现电子元器件的增材制造而备受关注。基于微笔直写的微增材制造技术,采用氧化铟镓锌(IGZO)材...
薄膜晶体管(Thin-Film Transistors,TFT)是一种重要的有源电子元器件。微笔直写技术作为一种增材制造技术,因其能在三维(3D)曲面基板上直接实现电子元器件的增材制造而备受关注。基于微笔直写的微增材制造技术,采用氧化铟镓锌(IGZO)材料作为有源层,制备了IGZO-TFT器件。在最佳的工艺参数条件下得到的TFT器件迁移率为1.43 cm^(2)/(V·s),开关电流比大于10^(8)。该迁移率与喷墨打印制备的IGZO-TFT器件的迁移率(1.41 cm^(2)/(V·s))相近,低于通过旋涂制备的器件迁移率(4.59 cm^(2)/(V·s))。这表明微笔直写技术是一种可行的薄膜晶体管增材制造技术。
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关键词
薄膜晶体管
微增材制造
微笔直写
氧化铟镓锌有源层
下载PDF
职称材料
题名
基于微增材技术制造的氧化铟镓锌薄膜晶体管及其性能
被引量:
1
1
作者
张奇
崔西会
方杰
项徽清
刘建国
机构
华中科技大学武汉光电国家研究中心激光与太赫兹技术功能实验室
中国电子科技集团公司第二十九研究所
出处
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2021年第12期1171-1175,共5页
基金
国家自然科学基金面上项目(51775209)。
文摘
薄膜晶体管(Thin-Film Transistors,TFT)是一种重要的有源电子元器件。微笔直写技术作为一种增材制造技术,因其能在三维(3D)曲面基板上直接实现电子元器件的增材制造而备受关注。基于微笔直写的微增材制造技术,采用氧化铟镓锌(IGZO)材料作为有源层,制备了IGZO-TFT器件。在最佳的工艺参数条件下得到的TFT器件迁移率为1.43 cm^(2)/(V·s),开关电流比大于10^(8)。该迁移率与喷墨打印制备的IGZO-TFT器件的迁移率(1.41 cm^(2)/(V·s))相近,低于通过旋涂制备的器件迁移率(4.59 cm^(2)/(V·s))。这表明微笔直写技术是一种可行的薄膜晶体管增材制造技术。
关键词
薄膜晶体管
微增材制造
微笔直写
氧化铟镓锌有源层
Keywords
thin film transistor
micro-additive manufacturing
micro-pen direct writing
IGZO active layer
分类号
TN321 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于微增材技术制造的氧化铟镓锌薄膜晶体管及其性能
张奇
崔西会
方杰
项徽清
刘建国
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2021
1
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职称材料
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