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基于MSAP工艺的封装基板的微孔导通技术研究
1
作者
廉治华
樊廷慧
刘敏
《印制电路信息》
2024年第S01期259-268,共10页
封装基板具有高密度、高精度、小型化及薄型化的特点。为实现上述产品特点,封装基板采用微孔导通及任意层互连技术,其孔径孔盘约50/100μm。在MSAP工艺下,实现微孔导通及任意层互连大致分三个步骤,分别是激光钻X型孔/盲孔、微孔与孔盘...
封装基板具有高密度、高精度、小型化及薄型化的特点。为实现上述产品特点,封装基板采用微孔导通及任意层互连技术,其孔径孔盘约50/100μm。在MSAP工艺下,实现微孔导通及任意层互连大致分三个步骤,分别是激光钻X型孔/盲孔、微孔与孔盘对准及叠孔垂直对准、图形填孔电镀。本文以50/100μm孔径孔盘微孔导通技术为研究对象,从超薄铜箔直接烧蚀工艺的激光钻孔参数、图形对位方式以及薄板图形填孔方式及参数等方面展开测试,最终获取相关制程参数,实现微孔导通技术,为量产封装基板奠定基础。
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关键词
封装基板
MSAP
微孔导通
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职称材料
题名
基于MSAP工艺的封装基板的微孔导通技术研究
1
作者
廉治华
樊廷慧
刘敏
机构
惠州市金百泽电路科技有限公司
西安金百泽电路科技有限公司
出处
《印制电路信息》
2024年第S01期259-268,共10页
文摘
封装基板具有高密度、高精度、小型化及薄型化的特点。为实现上述产品特点,封装基板采用微孔导通及任意层互连技术,其孔径孔盘约50/100μm。在MSAP工艺下,实现微孔导通及任意层互连大致分三个步骤,分别是激光钻X型孔/盲孔、微孔与孔盘对准及叠孔垂直对准、图形填孔电镀。本文以50/100μm孔径孔盘微孔导通技术为研究对象,从超薄铜箔直接烧蚀工艺的激光钻孔参数、图形对位方式以及薄板图形填孔方式及参数等方面展开测试,最终获取相关制程参数,实现微孔导通技术,为量产封装基板奠定基础。
关键词
封装基板
MSAP
微孔导通
Keywords
IC Substrate
MSAP
Microporous Conductivity
分类号
TN41 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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作者
出处
发文年
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1
基于MSAP工艺的封装基板的微孔导通技术研究
廉治华
樊廷慧
刘敏
《印制电路信息》
2024
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