EUV微影技术与7nm工艺

集成电路的制造技术下一步将进入7nm节点,业界期待极紫外光(EUV)微影技术的成熟并广泛推广应用,期望EUV能用来制造更小、更便宜的晶片。数据表明,EUV仍然缺少具有高功率,足够可靠的光源来保证目前晶圆厂每天所要求的晶圆产能。

以美拍为代表的微影技术传播特点的分析

随着互联网的发展,单纯的图文传递信息的方式已不能满足人们日常生活的传播需求,而以短视频为代表的微影技术的传播则在一定程度上解决了这一问题。美拍作为最大的移动短视频社交平台,其以自己独特的内容形式吸引着用户的眼光,并逐渐成为了一个现象级的传播平台。美拍秉持高颜值手机直播加超火爆原创视频的理念,乘借微影技术的东风,成功在市场上占得了一席之地。而美拍作为微影技术的最佳代表,也从传播方式、媒介关系、视频内容、用户特征等多个方面来诠释微影技术传播的特点。

芯片制造过程中的微影技术

半导体工业在光学微影技术的帮助下,长期形成持续且快速的成长态势,但光学微影在面对更精密的工艺流程已开始出现应用瓶颈,尤其在小于0.1微米或更精密的工艺流程,必须使用先进光学微影或非光学微影术予以克服。

半导体产业微影技术之关键材料——光刻胶

随着半导体器件细微化及集成度的不断提高,微影制程之关键材料——光刻胶已逐步从负型转向正型,再由G-line走向I-line甚至于DUV,永光化学公司已经可以向客户提供适用大于0.8微米制程的G-line光刻胶,以及目前最小可用于0.35微米制程的I-line光刻胶,并已在DUV的研发中取得进展。由于光刻胶性能对于半导体微影效果具直接影响,为协助半导体制造厂对先进制程的要求,永光化学公司将持续开发以提供最新的解决方案。

193纳米微影湿浸式技术暂居较佳发展位置

微影工艺技术在IC制造中一直扮演着举足轻重的角色,随着IC产品技术需求的提升,微影技术也需不断地提高分辨率以制作更微小的特征尺寸(feature size)。为符合未来65纳米以下阶段的需求,微影设备供货商也极力开发新的光学及非光学微影技术。但因2003年5月Intel宣布不导入157纳米微影设备于65纳米工艺,将继续使用193纳米微影技术进行65纳米及45纳米工艺,并计划导入极短紫外光(EUV)微影设备,用于32纳米工艺。此举导致先进厂商对微影技术的发展方向看法分歧,ITRS亦于2003年12月研讨会中大幅度修正2001年所发表的微影技术预测(如表1所示)。经学术界与产业界的研究与评估,65纳米以下阶段最具潜力的微影技术,分别是193纳米微影湿浸式技术(Liquid Immersion)、157纳米微影、极短紫外光(Extreme Ultraviolet;EUV)微影以及投影式电子束微影技术 (Electronbeam Projection lithography;EPL)。

科学家利用DNA技术催生新一代纳米级芯片

IBM与美国加州理工学院（California Institute of Technology）的研究人员，正合作利用DNA来将碳纳米管、硅纳米线（nanowires）等微小零组件，组装成比现今微影技术可达到的尺寸小10倍的电路。这种技术并可望催生速度更快、功率更高，但成本却更低也更省电的新一代芯片。

ASML极紫外光EUV设备助台积电攻关10纳米以下工艺流程

半导体微影技术厂商艾司摩尔ASML新一代极紫外光EUV微影设备已正式量产，并接获台积电订单，预计2015年出货，为台积电工艺流程推进至10纳米以下，提供关键加工设备。

跨越微阵列数据山峰

15年前，加州Affymax公司研究入员史蒂文·福多尔等人在《科学》上发表一篇里程碑式的论文，勾勒了微影技术和微阵列分析的基本原理。5年以后,福多尔及其同事首次报道了线粒体的DNA芯片，一场新的革命开始了！

DNA微阵列与传染病研究

15年前，加州Affymax公司研究人员史蒂文·福多尔等人在《科学》上发表一篇里程碑式的论文，勾勒了微影技术和微阵列分析的基本原理。5年以后，福多尔及其同事首次报道了线粒体的DNA芯片，如今，微阵列已经成为基因组研究中广泛应用的支柱性技术，在疾病的基因表达，高通量基因型操作，绘制基因调控通路和许多其他研究中帮助解决基本的生物学问题，本期的微阵列专题，将重点介绍微阵列技术在疾病研究中的应用进展情况。

重回摩尔定律两大武器:EUV和三五族 成大势所趋

英特尔在14纳米及10纳米制程推进出现延迟，已影响到处理器推出时程，也让业界及市场质疑：摩尔定律是否已达极限。不过，英特尔仍积极寻求在7纳米时代重回摩尔定律的方法，其中两大武器，分别是被视为重大微影技术世代交替的极紫外光（EUV），以及开始采用包括砷化铟镓（InGaAs）及磷化铟（InP）等三五族半导体材料。